[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有第一元件区和第二元件区；

形成在所述第一元件区上的第一环栅晶体管；所述第一环栅晶体管具有至少一层第一纳米线或片；所述至少一层第一纳米线或片的外周依次环绕有第一栅介质层和第二栅介质层；

以及形成在所述第二元件区上的第二环栅晶体管；所述第二环栅晶体管具有至少一层第二纳米线或片；所述至少一层第二纳米线或片的外周环绕有第三栅介质层；所述第一栅介质层和所述第二栅介质层的总厚度大于所述第三栅介质层的厚度；所述第一纳米线或片的厚度小于所述第二纳米线或片的厚度；所述第一环栅晶体管具有的第一纳米线或片的层数等于所述第二环栅晶体管具有的第二纳米线或片的层数。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环栅晶体管为输入/输出器件；所述第二环栅晶体管为核心器件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一纳米线或片的宽度小于所述第二纳米线或片的宽度；和/或，

所述第一纳米线或片与所述第一栅介质层所组成结构的总厚度等于所述第二纳米线或片的厚度；和/或，

所述第一纳米线或片与所述第一栅介质层所组成结构的总宽度等于所述第二纳米线或片的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅介质层和所述第三栅介质层所含有的材料相同；所述第二栅介质层和所述第三栅介质层的厚度相等；或，

所述第二栅介质层和所述第三栅介质层所含有的材料不同。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；所述衬底具有第一元件区和第二元件区；

形成位于所述第一元件区上的第一环栅晶体管、以及形成位于所述第二元件区上的第二环栅晶体管；所述第一环栅晶体管具有至少一层第一纳米线或片；所述至少一层第一纳米线或片的外周依次环绕有第一栅介质层和第二栅介质层；所述第二环栅晶体管具有至少一层第二纳米线或片；所述至少一层第二纳米线或片的外周环绕有第三栅介质层；所述第一栅介质层和所述第二栅介质层的总厚度大于所述第三栅介质层的厚度；所述第一纳米线或片的厚度小于所述第二纳米线或片的厚度；所述第一环栅晶体管具有的第一纳米线或片的层数等于所述第二环栅晶体管具有的第二纳米线或片的层数。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述形成位于所述第一元件区上的第一环栅晶体管、以及形成位于所述第二元件区上的第二环栅晶体管，包括：

在所述第一元件区上形成至少一层纳米线或片、以及在所述第二元件区上形成沟道形成部；所述沟道形成部包括至少一层叠层；每层所述叠层均包括牺牲层、以及位于所述牺牲层上的沟道层；

对所述至少一层纳米线或片进行选择性氧化处理，以使得所述至少一层纳米线或片剩余的部分形成所述至少一层第一纳米线或片，以及形成环绕在所述至少一层第一纳米线或片外周的所述第一栅介质层；

去除所述牺牲层，使得至少一层叠层包括的所述沟道层形成所述至少一层第二纳米线或片；

形成位于所述第一栅介质层上的所述第二栅介质层，以及形成环绕在所述至少一层第二纳米线或片的外周的所述第三栅介质层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用原位水汽生成工艺对所述至少一层纳米线或片进行所述选择性氧化处理；所述选择性氧化处理的条件为：至少在含氧气氛环境下，处理温度为600℃～950℃。