[发明专利]半导体芯片、经加工晶圆以及制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于制造形成有半导体元件的半导体芯片的方法，所述方法包括：

制备由氮化镓制成的氮化镓晶圆；

通过在所述氮化镓晶圆的表面上形成外延膜来制造经加工晶圆，所述经加工晶圆具有位于所述外延膜一侧上的第一表面和位于所述氮化镓晶圆一侧上的第二表面，所述经加工晶圆包括与所述经加工晶圆的所述第一表面毗邻的多个芯片形成区域；

在所述多个芯片形成区域的每一个中形成所述半导体元件的第一表面侧元件部件；

通过从所述经加工晶圆的所述第二表面侧利用激光束照射所述经加工晶圆的内部，沿着所述经加工晶圆的平面方向形成其中氮化物与镓分离的晶圆变换层；

以所述晶圆变换层作为边界将所述经加工晶圆划分为包括所述经加工晶圆的第一表面的芯片形成晶圆和包括所述经加工晶圆的第二表面的回收晶圆；

从所述芯片形成晶圆取出所述半导体芯片；和

在所述氮化镓晶圆的制备之后且在所述经加工晶圆的划分之前，通过利用激光束照射所述氮化镓晶圆和所述经加工晶圆中的一个的内部形成所述氮化镓晶圆和所述经加工晶圆中的所述一个的内部的标记，所述标记由镓的沉积形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

形成所述标记包括在所述氮化镓晶圆的制备之后且在所述第一表面侧元件部件的形成之前形成晶圆标记作为所述标记。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

在所述晶圆标记的形成中，所述晶圆标记形成在包括在所述回收晶圆中的部分处。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

所述标记的形成包括在所述第一表面侧元件部件的形成之后且在所述晶圆变换层的形成之前，形成作为所述多个芯片形成区域中的每一个中的标记的芯片标记。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述标记的形成之后执行热处理。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中

所述氮化镓晶圆的制备包括将所述回收晶圆再次用作氮化镓晶圆。

7.一种包括形成有半导体元件的半导体芯片的经加工晶圆，所述经加工晶圆包括：

氮化镓晶圆；

布置在所述氮化镓晶圆的表面上的外延膜；和

布置在所述氮化镓晶圆和所述外延膜中的至少一个的内部的标记，所述标记通过镓沉积来提供。

8.一种半导体芯片，包括：

由氮化镓制成的芯片构成基板，所述芯片构成基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，并且包括半导体元件；和

布置在所述芯片构成基板的内部的标记，所述标记是镓沉积物。