[发明专利]一种适用于micro-OLED的彩色器件结构在审
| 申请号： | 202210203201.6 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN114566602A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吕磊 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 钟雪 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 micro oled 彩色 器件 结构 | ||
1.一种适用于micro-OLED的彩色器件结构，其特征在于，所述结构从下至上依次包括：
阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、蓝色发光层、中间连接层、绿色发光层、红色发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、光耦合取出层，其中，中间连接层为具有电子传输能力和空穴传输能力的双极性材料。
2.如权利要求1所述适用于micro-OLED的彩色器件结构，其特征在于，蓝色发光层由蓝色主体材料B-Host和蓝色掺杂材料B-dopant组成，蓝色掺杂材料B-dopant的掺杂浓度为3％～5％，蓝色掺杂材料B-dopant为荧光类的蓝色发光染料，其主发光峰位于460nm；
绿色发光层由绿色主体材料G-Host和绿色掺杂材料G-dopant组成，绿色掺杂材料G-dopant的掺杂浓度为8％～10％，绿色掺杂材料G-dopant为磷光类的绿色发光染料，其主发光峰位于530nm；
红色发光层由红光主体材料R-Host和红色掺杂材料R-dopant组成，红色掺杂材料R-dopant的掺杂浓度为1％～3％，红色掺杂材料R-dopant为磷光类的红色发光染料，其主发光峰位于610nm。
3.如权利要求2所述适用于micro-OLED的彩色器件结构，其特征在于，阳极到电子注入层的厚度为131nm。
4.如权利要求1所述适用于micro-OLED的彩色器件结构，其特征在于，蓝色发光层由蓝色主体材料B-Host和蓝色掺杂材料B-dopant组成，蓝色掺杂材料B-dopant的掺杂浓度为3％～5％，蓝色掺杂材料B-dopant为荧光类的蓝色发光染料，其主发光峰位于460nm；
绿色发光层由绿色主体材料G-Host和绿色掺杂材料G-dopant组成，绿色掺杂材料G-dopant的掺杂浓度为8％～10％，绿色掺杂材料G-dopant为荧光类的绿色发光染料，其主发光峰位于530nm；
红色发光层由红光主体材料R-Host和红色掺杂材料R-dopant组成，红色掺杂材料R-dopant的掺杂浓度为1％～3％，红色掺杂材料R-dopant为荧光类的红色发光染料，其主发光峰位于610nm。
5.如权利要求4所述适用于micro-OLED的彩色器件结构，其特征在于，阳极到电子注入层的厚度为151nm。
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