[发明专利]基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器及制备方法

权利要求书

1.一种基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：

所述基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器的结构左右对称，包括一个紫外LED和一个肖特基二极管探测器；

所述紫外LED位于所述微型压觉传感器的中央，包括：

发光区域，为AlGaN/GaN多量子阱层；

紫外LED正电极，位于所述发光区域的下方；

电子阻挡层及P型掺杂AlGaN层，依次位于所述发光区域与所述紫外LED正电极之间；

第一N型掺杂AlGaN层及第一AlGaN过渡层，依次位于所述发光区域的上方；

紫外LED负电极，位于所述紫外LED正电极的四周，并与所述第一N型掺杂AlGaN层直接接触；

所述肖特基二极管探测器位于所述紫外LED的四周，包括：

第二AlGaN过渡层，位于所述第一AlGaN过渡层四周；

探测器正电极，位于所述第二AlGaN过渡层下方；

第二N型掺杂AlGaN层，位于所述第二AlGaN过渡层下方，且在所述探测器正电极四周并与所述探测器正电极之间具有间隔；

探测器负电极，位于所述第二N型掺杂AlGaN层下方；

所述微型压觉传感器还包括：

平坦化介质层，覆盖所述紫外LED及所述肖特基二极管探测器；

若干键合电极，位于所述平坦化介质层下方；

通孔金属，贯穿所述平坦化介质层，以将所述紫外LED正电极、所述紫外LED负电极、所述探测器正电极及所述探测器负电极分别与若干所述键合电极连接；

两个阻挡平台，上窄下宽，分别位于所述紫外LED及所述肖特基二极管探测器的上方，两个所述阻挡平台分别围成上宽下窄的两个空腔，两个所述空腔分别裸露所述紫外LED及所述肖特基二极管探测器的表面；透光层，填充满两个所述空腔，并高于所述阻挡平台的顶部；

接触反射层及接触保护层，依次位于所述透光层上方。

2.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：所述微型压觉传感器采取倒装的形式键合于转移基板上，所述转移基板的表面或内部布置有信号控制与处理电路，所述信号控制与处理电路用于所述紫外LED的驱动电流控制及所述肖特基二极管探测器的输出电流处理。

3.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：所述阻挡平台表面还覆盖有紫外光反射层，用于反射照射到所述阻挡平台表面的光线，防止光线被所述阻挡平台吸收。

4.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：所述AlGaN/GaN多量子阱层、所述电子阻挡层及所述P型掺杂AlGaN层在水平方向上的轮廓形状相同，均为圆形。

5.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：所述紫外LED正电极在水平方向上的轮廓形状为圆形，与所述AlGaN/GaN多量子阱层在水平方向上的圆形轮廓为同心圆，所述紫外LED正电极的圆形轮廓直径小于或等于所述AlGaN/GaN多量子阱层的圆形轮廓直径。

6.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：所述紫外LED负电极在水平方向的轮廓形状为环绕所述AlGaN/GaN多量子阱层圆形轮廓的同心圆环；所述探测器正电极及所述探测器负电极在水平方向上的轮廓形状均为环绕所述紫外LED正电极圆形轮廓的同心圆环。

7.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：若干所述键合电极在水平方向上的高度差小于0.2μm。

8.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器，其特征在于：所述紫外LED正电极材料为镍金合金，所述紫外LED负电极材料为钛铝镍金合金；所述探测器正电极为镍金合金，所述探测器负电极材料为钛铝镍金合金。