[发明专利]一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

反应腔；

载台，位于所述反应腔的底部，用于承载晶片；

气体喷淋头，位于所述载台上方，用于向所述反应腔内导入处理气体；其中，所述气体喷淋头的出口的水平截面呈扁平状，且所述气体喷淋头可在所述载台上方的至少一个方向上来回移动。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体喷淋头的入口的水平截面呈圆形，所述气体喷淋头的出口的水平截面呈矩形；其中，所述出口的长度大于所述入口的直径，且所述出口的宽度小于所述入口的直径。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体喷淋头可沿所述出口的宽度方向来回移动，所述来回移动的速率是可调的。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述载台可绕其中心旋转，所述旋转的转速是可调的。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为移除光阻抗蚀剂和/或蚀刻副产物的等离子体灰化装置。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述处理气体包含等离子体；所述等离子体处理装置还包括：等离子体发生装置，所述等离子体发生装置用于向所述气体喷淋头供应等离子体。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体发生装置包括微波发生器，等离子体发生室，以及连接所述微波发生器和所述等离子体发生室的波导管。

8.一种采用等离子处理装置处理晶片的方法，其特征在于，所述等离子处理装置包括：反应腔，位于所述反应腔底部的载台，以及位于所述载台上方的气体喷淋头，所述气体喷淋头的出口呈扁平状；所述处理晶片的方法包括：

将晶片放置在载台上；

使所述气体喷淋头在所述晶片上方的至少一个方向上来回移动，以向所述晶片表面的不同区域提供处理气体。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述出口呈矩形；使所述气体喷淋头沿所述出口的宽度方向来回移动。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，使所述气体喷淋头以一固定速率在所述晶片上方的至少一个方向上来回移动，所述固定速率的范围在10mm/s至50mm/s之间。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶片表面的不同区域包括中间区域以及围绕所述中间区域的边缘区域；当所述气体喷淋头至少部分覆盖所述中间区域时，使所述气体喷淋头以第一速率移动；当所述气体喷淋头仅覆盖所述边缘区域时，使所述气体喷淋头以第二速率移动；其中，所述第一速率大于所述第二速率。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一速率和所述第二速率的比值范围在1.2至2.5之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一速率的范围在11mm/s至75mm/s之间，所述第二速率的范围在6mm/s至45mm/s之间。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述边缘区域呈环状，所述边缘区域与所述载台的中心的最小距离大于140mm。

15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述气体喷淋头向所述晶片提供处理气体时，使所述载台绕其中心旋转，所述载台的转速的范围在400转/分至2500转/分之间。