[发明专利]一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器在审
| 申请号： | 202210206157.4 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114566869A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 许并社;董海亮;张旭;贾志刚;贾伟;梁建 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 张彩琴 |
| 地址： | 030024 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 无铝非 对称 势垒层 结构 gaas 半导体激光器 | ||
1.一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，包括n-GaAs衬底，其特征在于，n-GaAs衬底上自下而上设置有n-AlxGa1-xAs限制层、n-AlxGa1-xAs波导层、n-Ga1-xInxAs1-yPy势垒层、GaAs量子阱层、p-GaAs1-xPx势垒层、p-AlxGa1-xAs波导层、p-AlxGa1-xAs限制层和p-GaAs接触层。
2.根据权利要求1所述的一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，其特征在于，n-GaAs衬底的厚度为3000~3500nm，恒定掺杂浓度为3×1018~6×1018 cm-3。
3.根据权利要求2所述的一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，其特征在于，n-AlxGa1-xAs限制层中Al组分固定且0.4＜x＜0.6；n-AlxGa1-xAs限制层中掺杂浓度固定且与n-GaAs衬底的掺杂浓度相等，n-AlxGa1-xAs限制层的厚度为1500~2000nm。
4.根据权利要求3所述的一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，其特征在于，n-AlxGa1-xAs波导层中Al组分渐变且Al组分最大值与n-AlxGa1-xAs限制层中的Al组分相同，n-AlxGa1-xAs波导层中的Al组分最小值大于0；n-AlxGa1-xAs波导层中掺杂浓度渐变且掺杂浓度最大值小于n-AlxGa1-xAs限制层的掺杂浓度，n-AlxGa1-xAs波导层掺杂浓度的最小值与n-Ga1-xInxAs1-yPy势垒层的掺杂浓度相同，n-AlxGa1-xAs波导层的厚度为300~700nm。
5.根据权利要求4所述的一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，其特征在于，n-Ga1-xInxAs1-yPy势垒层中In组分和P组分固定且0.4＜x＜0.6、0＜y＜0.5，n-Ga1-xInxAs1-yPy势垒层的掺杂浓度为5×1016cm-3，n-Ga1-xInxAs1-yPy势垒层的厚度为5~10nm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，其特征在于，GaAs量子阱层的厚度为3~10nm且不掺杂。
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