[发明专利]磁隧道结器件和其制造方法、存储器件和电子系统

权利要求书

1.一种磁隧道结器件，包括：

第一磁性层；

面对所述第一磁性层的第二磁性层；以及

第一氧化物层，在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间并包括金属氧化物，

其中所述第一氧化物层的所述金属氧化物具有按化学计量地缺氧组成，以及

所述第二磁性层包括掺有金属元素的磁性材料。

2.根据权利要求1所述的磁隧道结器件，

其中所述第一氧化物层包括与所述第一磁性层相邻的第一区域和与所述第二磁性层相邻的第二区域，并且所述第二区域中第一元素的比例大于所述第一区域中所述第一元素的比例，所述第一元素是氧或氮。

3.根据权利要求2所述的磁隧道结器件，

其中所述第一氧化物层进一步包括在所述第一区域和所述第二区域之间的金属层。

4.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，

其中所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度。

5.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，

其中所述金属层的厚度为0.2nm至0.3nm。

6.根据权利要求3所述的磁隧道结器件，

其中所述金属层的金属材料与所述第一氧化物层的所述金属氧化物的金属材料相同。

7.根据权利要求1所述的磁隧道结器件，进一步包括：

面对所述第一氧化物层的第二氧化物层，所述第二磁性层在所述第二氧化物层和所述第一氧化物层之间，所述第二氧化物层包括金属氧化物。

8.根据权利要求7所述的磁隧道结器件，

其中所述第二氧化物层的所述金属氧化物具有按化学计量地缺氧组成。

9.根据权利要求8所述的磁隧道结器件，

其中所述第二氧化物层包括离所述第二磁性层更远设置的第一区域和邻近所述第二磁性层的第二区域，以及

所述第二区域中第一元素的比例大于所述第一区域中所述第一元素的比例，所述第一元素是氮或氧。

10.根据权利要求9所述的磁隧道结器件，

其中所述第二氧化物层进一步包括在所述第一区域和所述第二区域之间的金属层。

11.根据权利要求1所述的磁隧道结器件，

其中所述第一氧化物层包括MgO，所述第一氧化物层中的Mg的比例大于50at％，所述第一氧化物层中的O的比例小于50at％。

12.根据权利要求1所述的磁隧道结器件，其中

所述第二磁性层的所述金属元素的氧亲和力大于所述第二磁性层的所述磁性材料的氧亲和力。

13.根据权利要求12所述的磁隧道结器件，

其中所述第二磁性层的所述磁性材料包括Fe、Co、Ni、Mn、含Fe合金、含Co合金、含Ni合金、含Mn合金和赫斯勒合金中的至少一种，以及

所述第二磁性层的所述金属元素包括Ca、Sc、Y、Mg、Sr、Ba、Zr、Be、Ti、Hf、V、Zn、Nb、Mn、Al、Cr、Li、Cd、Pb、In、Ga和Ta中的至少一种。

14.一种存储器件，包括：

多个存储单元，所述多个存储单元中的每个包括磁隧道结器件和连接到所述磁隧道结器件的开关器件，

其中所述磁隧道结器件包括，

第一磁性层，

面对所述第一磁性层的第二磁性层，以及

设置在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间并包括金属氧化物的氧化物层，

其中所述氧化物层的所述金属氧化物具有按化学计量地缺氧组成，以及

所述第二磁性层包括掺有金属元素的磁性材料。