[发明专利]一种提高深紫外光电探测器性能的方法

权利要求书

1.一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混匀，制得5毫升混合溶液；

2)将原料1.299g碘化铯和0.952g碘化亚铜加入到上述混合溶液中，进行搅拌；

3)将无水甲醇缓慢滴加到上述溶液中，直到白色沉淀不再消失；

4)然后用过滤器过滤掉白色沉淀，并将饱和溶液转移到一个小瓶中；

5)将装有饱和溶液的小瓶子放在装有适量无水甲醇的大烧杯中；

6)最后将整个装置放置在加热板上，直到晶体生长1-3天停止生长；

7)最后将生长得到的CsCu₂I₃单晶清洗干净；

8)将清洗好的CsCu₂I₃单晶进行烘干，然后用水浸泡不同时间再次烘干后固定在载玻片上，涂上银浆形成肖特基接触，露出中间部分作为光敏面，将整个器件放到加热板上，待银浆完全蒸干后，制得光电探测器并对其进行光电性能测量。

2.根据权利要求1所述的一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，所述CsCu₂I₃单晶由反溶剂蒸汽辅助法制得。

3.根据权利要求1所述的一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，所述步骤1中N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合体积比为4:1。

4.根据权利要求1所述的一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，所述步骤2中需在60℃磁力不断搅拌下直至得到清澈的溶液。

5.根据权利要求1所述的一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，所述步骤5中需要用塑料膜密封，用于防止溶液挥发。

6.根据权利要求1所述的一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，所述步骤6中的加热板温度保持在60℃。

7.根据权利要求1所述的一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，所述步骤7中的CsCu₂I₃单晶用乙醇和正己烷进行清洗。

8.根据权利要求1所述的一种提高深紫外光电探测器性能的方法，其特征在于，所述步骤8中的烘干装置为烘箱。