[发明专利]量子点溶液注入方法、发光芯片及光色转换结构

权利要求书

1.一种量子点溶液注入方法，其特征在于，包括：

提供含有量子点的量子点溶液和具有用于填充量子点溶液的孔洞的多孔结构；

对所述多孔结构进行预处理，所述预处理包括：对所述多孔结构进行干燥处理，和/或，清理所述多孔结构的表面上和/或所述孔洞内的污渍；

将经过所述预处理之后的多孔结构浸入装有量子点溶液的容器中，使所述容器离心转动产生朝向所述多孔结构的孔洞开口的离心力，借由所述离心力使量子点溶液朝所述孔洞流动注入所述孔洞中；

固化注入所述孔洞中的量子点溶液。

2.如权利要求1所述的量子点溶液注入方法，其特征在于，所述对所述多孔结构进行干燥处理包括：

将所述多孔结构在真空环境下以第一温度烘烤第一时长，烘干所述多孔结构中的水汽。

3.如权利要求1所述的量子点溶液注入方法，其特征在于，所述清理所述多孔结构的表面上和/或所述孔洞内的污渍包括：

将所述多孔结构置于等离子体环境中第二时长，通过等离子体清理所述多孔结构的表面上和所述孔洞内的污渍。

4.如权利要求1所述的量子点溶液注入方法，其特征在于，所述容器离心转动的转速为5000转/分钟-10000转/分钟，离心转动时间为15分钟-20分钟。

5.如权利要求1所述的量子点溶液注入方法，其特征在于，所述离心力的方向与所述孔洞的延伸方向的夹角为0-60°，所述孔洞的延伸方向为孔洞开口朝向孔洞底壁。

6.如权利要求1所述的量子点溶液注入方法，其特征在于，所述固化注入所述孔洞中的量子点溶液包括：

将所述多孔结构在真空环境下以第二温度烘烤第三时长，烘干所述多孔结构中量子点溶液的溶剂。

7.如权利要求1所述的量子点溶液注入方法，其特征在于，在所述固化注入所述孔洞中的量子点溶液之后，还包括：

使用清洁剂清洗所述多孔结构表面残留的量子点溶液。

8.如权利要求1至7任一项所述的量子点溶液注入方法，其特征在于，所述多孔结构包括生长衬底和生长在所述生长衬底上的外延层，所述外延层具有所述孔洞。

9.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片采用如权利要求8所述的量子点溶液注入方法注入量子点溶液。

10.一种光色转换结构，用于设置在发光芯片的出光面，以将所述发光芯片发出的光转换为目标光色，其特征在于，所述光色转换结构采用如权利要求1至8任一项所述的量子点溶液注入方法注入量子点溶液。