[发明专利]带有直流偏置的高压脉冲源在审
申请号: | 202210216820.9 | 申请日: | 2022-03-07 |
公开(公告)号: | CN114520604A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 董守龙;姚陈果;余亮 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H02M11/00 | 分类号: | H02M11/00;H03K3/57;H02M9/02 |
代理公司: | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人: | 王翔 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 直流 偏置 高压 脉冲 | ||
1.带有直流偏置的高压脉冲源,其特征在于,电路拓扑如下所示:
记所述高压电源VH正极所在一端为A,负极所在一端为B,低压电源VL正极所在一端为E,负极所在一端为F。
高压电源VH的A端连接二极管D1的阳极;二极管D1的阴极串联电容C1后连接二极管D0的阴极;二极管D0的阳极接地;
二极管D1的阴极连接开关管S1的漏极;开关管S1的栅极悬空;开关管S1的源极连接二极管D1’的阴极;
二极管D1的阴极连接二极管D2的阳极;
二极管Di的阳极连接二极管Di-1的阴极,二极管Di的阴极连接二极管Di+1的阳极;i=2,3,…,n;n为正整数;
二极管Di的阴极串联电容Ci后连接二极管Di’的阳极;二极管Di’的阳极连接二极管Di-1’的阴极;二极管Di’的阴极连接二极管Di+1’的阳极;
二极管Di的阴极连接开关管Si的漏极;开关管Si的栅极悬空;开关管Si的源极连接二极管Di’的阴极;
二极管Dn’的阴极串联负载电阻RL后接地;
开关管Sn的源极串联负载电阻RL后接地;
低压电源的E端连接开关管S0的漏极;开关管S0的栅极悬空;开关管S0的源极连接二极管D0的阴极;
低压电源的F端接地。
2.根据权利要求1所述的带有直流偏置的高压脉冲源,其特征在于:所述开关管包括MOSFET开关管。
3.根据权利要求1所述的带有直流偏置的高压脉冲源,其特征在于:高压脉冲源充电时,二极管D0、二极管D1、…、二极管Dn、二极管D1’、…、二极管Dn’导通,高压直流电源VH通过二极管向电容C1、电容C2、…、电容Cn并联充电。
4.根据权利要求1所述的带有直流偏置的高压脉冲源,其特征在于:高压脉冲源放电过程如下:
开关管S1、…、开关管Sn在t1-t2时刻导通,电容C1、电容C2、…、电容Cn串联向负载电阻RL放电,脉冲的脉宽为t2-t1;负载RL上的电压VRL=VC1+VC2+VC3+…+VCn;VCn为电容Cn的电压;
开关管S1、…、开关管Sn、二极管D1、…、二极管Dn在t2-t3时刻关断,开关管S0、二极管D0、二极管D1’、…、二极管Dn’在t2-t3时刻导通,低压电源VL向负载电阻RL放电。
5.根据权利要求4所述的带有直流偏置的高压脉冲源,其特征在于:重复高压脉冲源放电过程,从而在负载RL上形成带有直流偏置电压的高压脉冲。
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