[发明专利]钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法有效
申请号: | 202210217798.X | 申请日: | 2022-03-08 |
公开(公告)号: | CN114284057B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 张葆华;何欢;杨连圣;郭敬东;张敏刚;韩志明;赵亚利;董文;董永安;赵菁 | 申请(专利权)人: | 山西金山磁材有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F41/18;H01F41/30;H01F1/057 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 侯小幸 |
地址: | 030000 山西省*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钕铁硼 颗粒 连续 复合 镀膜 装置 钕铁硼晶界 深度 调控 方法 | ||
1.一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置,其特征在于:包括进料系统、镀膜系统、出料系统、直流偏压电源(7)、冷却系统和抽真空系统;
所述进料系统包括进料室(1),所述进料室(1)内设置有进料斗(10),所述进料斗(10)的上部设有进料阀(11),所述进料室(1)的侧壁上设有抽气阀(25)及充氩阀(26),所述进料斗(10)的下方设置有振动均匀布料斗(12),所述振动均匀布料斗(12)位于电磁振动进料机构(13)的顶部,所述进料室(1)的底面上布置有供电磁振动进料机构(13)移动的滑轨;所述进料室(1)通过减震立柱 (28)支撑;
所述镀膜系统包括镀膜室(2),所述镀膜室(2)与进料室(1)之间通过真空隔断结构(27)隔开,所述镀膜室(2)分为反溅清洗区和溅射镀膜区,所述反溅清洗区在前端,包括布料振动工作台(14)及其上方的正偏压反溅清洗电极(8),所述正偏压反溅清洗电极(8)接反溅清洗正偏压电源;所述溅射镀膜区在后端,包括镀膜振动工作台(16)及其上方的磁控溅射阴极靶(9),所述磁控溅射阴极靶(9)接溅射镀膜负偏压电源;溅射镀膜负偏压电源与反溅清洗正偏压电源均由直流偏压电源(7)提供;所述振动均匀布料斗(12)的物料出口与布料振动工作台(14)衔接,所述布料振动工作台(14)与镀膜振动工作台(16)衔接;所述布料振动工作台(14)的下部设有电磁振动预溅射输料机(15),所述镀膜振动工作台(16)即为阳极衬板、下部设置有至少两台镀膜工作台电磁振动器(17);所述镀膜室(2)的底面上设置有抽气阀(25)、侧壁上设置有充氩阀(26);所述镀膜室(2)的顶部设置有多个气体质量流量计(24);所述镀膜工作台电磁振动器(17)位于镀膜室(2)底面的倾角调节架(35)上,所述倾角调节架(35)的端部设有一个倾角举升电缸(38);所述镀膜室(2)也由减震立柱(28)支撑;
所述出料系统包括出料室(3),所述出料室(3)与镀膜室(2)之间通过真空隔断结构(27)隔开,所述出料室(3)的下部为集料挡板阀(18),所述集料挡板阀(18)通过磁流体旋转密封(19)与旋转冷却滚筒(4)连接,所述旋转冷却滚筒(4)又通过磁流体旋转密封(19)与出料漏斗(20)连接,所述出料漏斗(20)的下部为出料阀(21),所述旋转冷却滚筒(4)的下方设有升降水槽(22);所述磁流体旋转密封(19)下方由减震立柱(28)支撑;
所述冷却系统包括布置在进料室(1)、镀膜室(2)、出料室(3)内部和下方的冷却水循环管路(39);
所述抽真空系统包括机械真空泵阀组(5)、罗茨泵阀组(6)与分子泵阀组(23)及气体质量流量计(24),所述机械真空泵阀组(5)固定于地面上;所述机械真空泵阀组(5)与罗茨泵阀组(6)相连接,所述罗茨泵阀组(6)通过抽真空管路连接于进料室(1)、镀膜室(2)与出料室(3);所述分子泵阀组(23)位于镀膜室(2)内;
所述进料室(1)、镀膜室(2)、出料室(3)、布料振动工作台(14)与镀膜振动工作台(16)均接地,所述进料室(1)、镀膜室(2)分别与减震立柱(28)通过骨架油封形成行动密封,所述减震立柱(28)均固定在钢筋混凝土减震基础上。
2.根据权利要求1所述的一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置,其特征在于:所述真空隔断结构(27)包括真空旋转挡板阀(2701)与蜗轮蜗杆减速机(2702)。
3.根据权利要求1所述的一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置,其特征在于:所述布料振动工作台(14)的台面上设有多条纵向半圆弧型槽(40);所述镀膜振动工作台(16)的台面上设置有锯齿面输料槽(41),所述布料振动工作台(14)内部也设置有冷却水循环管路(39)。
4.根据权利要求1所述的一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置,其特征在于:所述布料振动工作台(14)和镀膜振动工作台(16)材质为不锈钢、且均接地。
5.根据权利要求1所述的一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置,其特征在于:所述磁控溅射阴极靶(9)由多条平行布置、可自由组合的系列矩形平面磁控靶构成,磁路为稀土永磁阵列,靶材之间间隔布置低压阳极。
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