[发明专利]声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器在审
| 申请号： | 202210219473.5 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114584097A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 许欣 | 申请（专利权）人： | 广东广纳芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面波 谐振器 及其 制造 方法 以及 滤波器 | ||
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
复合压电衬底，该复合压电衬底具有：硅酸镓镧即LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成，及形成在所述LGS基底层之上的ZnO压电层，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；以及
形成在所述ZnO压电层上的叉指电极。
2.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述LGS基底层在声波传播方向欧拉角(0°,138.5°,26.5°)下具有0温度系数。
3.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述LGS基底层与所述ZnO压电层通过在键合后减薄所述ZnO压电层至规定厚度，从而形成所述复合压电衬底。
4.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述ZnO压电层通过PVD、MOCVD、MBE、ALD中的任一种方式形成在所述LGS基底层上。
5.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述ZnO压电层的厚度在20λ以下，λ是所述叉指电极激发的声表面波波长。
6.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述叉指电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd中的任一种金属、或它们的合金、或它们的层叠体构成。
7.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
还包括形成于所述叉指电极表面的保护层。
8.如权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述保护层由SiO2、Si3N4、SiFO、SiOC中的任一种形成。
9.一种用于制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，包括：
准备LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成；
在所述LGS基底层之上形成ZnO压电层从而得到复合压电衬底，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；
在所述ZnO压电层上形成叉指电极。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述LGS基底层在声波传播方向欧拉角(0°,138.5°,26.5°)下具有0温度系数。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述LGS基底层与所述ZnO压电层通过键合方式形成所述复合压电衬底，在所述键合后减薄所述ZnO压电层至规定厚度。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，
所述减薄通过半导体减薄工艺和化学机械抛光工艺来进行。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，
在所述键合前，对所述LGS基底层与所述ZnO压电层各自的键合面进行清洗预处理。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述ZnO压电层通过PVD、MOCVD、MBE、ALD中的任一种方式形成在所述LGS基底层上。
15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述ZnO压电层的厚度在20λ以下，λ是所述叉指电极激发的声表面波波长。
16.一种声表面波滤波器，其特征在于，
包括至少一个如权利要求1至8中任一项所述的声表面波谐振器。
17.如权利要求16所述的声表面波滤波器，其特征在于，
所述声表面波滤波器是Normal-SAW(传统声表面波)滤波器、TC-SAW(温度补偿声表面波)滤波器、IHP-SAW(超级高性能声表面波)滤波器中的任一种。
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