[发明专利]一种MEMS高台阶加工制造方法在审
| 申请号： | 202210219856.2 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114751366A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 王东平 | 申请（专利权）人： | 苏州感芯微系统技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 台阶 加工 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS高台阶加工制造方法，其特征在于，包括步骤：
S1、在基底上淀积膜层；
S2、通过光刻、腐蚀膜层，形成所需的膜层结构；
S3、在基底和膜层结构上淀积第一牺牲层；
S4、在第一牺牲层上淀积停止层；
S5、通过光刻、腐蚀停止层的中部区域，只保留边缘区域；
S6、在第一牺牲层和停止层结构上淀积第二牺牲层；
S7、采用CMP工艺对第二牺牲层研磨，直到边缘区域研磨到停止层，中部区域继续研磨至与停止层同样高度，保证中部区域和边缘区域剩余的第二牺牲层厚度一致。
2.根据权利要求1所述的MEMS高台阶加工制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层采用二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的MEMS高台阶加工制造方法，其特征在于，所述停止层采用氮化硅。
4.根据权利要求2所述的MEMS高台阶加工制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层采用二氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州感芯微系统技术有限公司，未经苏州感芯微系统技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210219856.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
