[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本公开提供能抑制栅电极的特性的变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体层；绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有开口；栅电极，经由所述开口连接于所述半导体层；以及保护膜，覆盖所述栅电极，所述绝缘膜具有：所述半导体层侧的第一面；以及与所述第一面相反侧的第二面，所述栅电极具有：第三面，离开所述第二面并与所述第二面对置；以及第四面，将所述第二面与所述第三面相连，所述栅电极包含构成所述第三面和所述第四面的Ni膜，在所述第三面和所述第四面具有覆盖所述Ni膜的Ni氧化膜，所述保护膜从所述Ni氧化膜之上覆盖所述第三面和所述第四面。

技术领域

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

作为具备高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor：HEMT)的半导体装置，提出了具有栅电极的半导体装置，该栅电极具备基部和从基部向侧方伸出的檐部(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第8741715号说明书

专利文献2：日本特开2013－207086号公报

专利文献3：日本特开2019－216188号公报

在以往的半导体装置中，栅电极的特性有时会发生变化。

发明内容

本公开的目的在于提供能抑制栅电极的特性的变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

本公开的半导体装置具有：半导体层；绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有开口；栅电极，经由所述开口连接于所述半导体层；以及保护膜，覆盖所述栅电极，所述绝缘膜具有：所述半导体层侧的第一面；以及与所述第一面相反侧的第二面，所述栅电极具有：第三面，离开所述第二面并与所述第二面对置；以及第四面，将所述第二面与所述第三面相连，所述栅电极包含构成所述第三面和所述第四面的Ni膜，在所述第三面和所述第四面具有覆盖所述Ni膜的Ni氧化膜，所述保护膜从所述Ni氧化膜之上覆盖所述第三面和所述第四面。

发明效果

根据本公开，能抑制栅电极的特性的变化。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的概要的剖视图。

图2是表示实施方式的半导体装置中的栅电极及其周边的详情的剖视图。

图3是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其1)。

图4是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其2)。

图5是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其3)。

图6是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其4)。

图7是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其5)。

图8是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其6)。

图9是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其7)。

图10是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其8)。

图11是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其9)。

图12是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其10)。

图13是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其11)。

图14是表示实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其12)。