[发明专利]一种基于多层异质复合陶瓷薄膜的高温绝缘层及制备方法

权利要求书

1.一种基于多层异质复合陶瓷薄膜的高温绝缘层，其特征在于，包括：

合金基底；

NiCoCrAlY过渡层，沉积形成于所述合金基底上；

YSZ-MgO中间层，沉积形成于所述NiCoCrAlY过渡层上；

Al₂O₃原位生长结合层，形成于所述NiCoCrAlY过渡层与所述YSZ-MgO中间层之间，所述Al₂O₃原位生长结合层通过原位生长方式形成；所述Al₂O₃原位生长结合层通过一次空气中退火处理使所述NiCoCrAlY过渡层中的Al向所述YSZ-MgO中间层扩散形成；

MgO绝缘层，沉积形成于所述YSZ-MgO中间层上，所述MgO绝缘层采用离子束溅射方法沉积形成。

2.根据权利要求1所述的基于多层异质复合陶瓷薄膜的高温绝缘层，其特征在于，所述YSZ-MgO中间层的厚度为2-3微米。

3.一种权利要求1或2任一项所述的基于多层异质复合陶瓷薄膜的高温绝缘层的制备方法，其特征在于，包括：

提供合金基底，在所述合金基底上沉积NiCoCrAlY过渡层薄膜，所述NiCoCrAlY过渡层薄膜的厚度为20-30微米；

在所述NiCoCrAlY过渡层上沉积YSZ-MgO薄膜，形成YSZ-MgO中间层；

在所述NiCoCrAlY过渡层与所述YSZ-MgO中间层之间，采用原位生长方式形成Al₂O₃原位生长结合层，包括：采用空气中高温退火的方法，使所述NiCoCrAlY过渡层中的Al向所述YSZ-MgO中间层扩散，形成一层致密的Al₂O₃薄膜，形成所述Al₂O₃原位生长结合层；

在所述YSZ-MgO中间层上采用离子束溅射方法沉积形成MgO绝缘层，得到基于多层异质复合陶瓷薄膜的高温绝缘层。

4.根据权利要求3所述的基于多层异质复合陶瓷薄膜的高温绝缘层的制备方法，其特征在于，所述YSZ-MgO薄膜采用离子束溅射方法沉积形成。