[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审

专利信息
申请号: 202210222867.6 申请日: 2022-03-07
公开(公告)号: CN115116830A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 山下敦;香川兴司 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033;H01L21/67
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 方法 装置
【说明书】:

本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括准备工序、掩模去除工序和干燥工序。准备工序准备基片,其中,在该基片的层叠膜上形成有作为掩模的氧化锆膜,并且进而被干蚀刻成了规定形状。掩模去除工序在准备工序之后对基片供给以硫酸为主成分的掩模去除液,去除氧化锆膜。干燥工序在掩模去除工序之后,使被冲洗液润湿了的基片的表面干燥。根据本发明,能够将作为掩模来使用的氧化锆膜从基片上良好地去除。

技术领域

本发明的实施方式涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

现有技术中,已知有一种将形成在半导体晶片(下面也称为晶片。)等基片上的、作为栅极氧化膜来使用的氧化锆(ZrO2)膜蚀刻成规定的图案形状的技术(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2005-79316号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供能够将作为掩模来使用的氧化锆膜从基片上良好地去除的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个方式的基片处理方法包括准备工序、掩模去除工序和干燥工序。准备工序准备基片,其中,在该基片的层叠膜上形成有作为掩模的氧化锆膜,并且进而被干蚀刻成了规定形状。掩模去除工序在所述准备工序之后对所述基片供给以硫酸为主成分的掩模去除液,去除所述氧化锆膜。干燥工序在所述掩模去除工序之后,使被冲洗液润湿了的所述基片的表面干燥。

发明的效果

根据本发明,能够将作为掩模来使用的氧化锆膜从基片上良好地去除。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。

图2是表示实施方式的处理单元的具体结构的一例的示意图。

图3是表示实施方式的混合液供给部的结构的一例的图。

图4是表示实施方式的准备处理后的晶片表面的状态的一例的示意图。

图5是表示实施方式的掩模去除处理的示意图。

图6是表示实施方式的掩模去除处理后的晶片表面的状态的一例的示意图。

图7是表示实施方式的预先残渣去除处理的示意图。

图8是表示实施方式的预先残渣去除处理后的晶片表面的状态的一例的示意图。

图9是表示实施方式的残渣去除处理的示意图。

图10是表示实施方式的残渣去除处理后的晶片表面的状态的一例的示意图。

图11是表示实施方式的冲洗处理和干燥处理的示意图。

图12是表示实施方式的变形例1的处理单元的具体结构的一例的示意图。

图13是表示实施方式的变形例1的冲洗处理和干燥处理的示意图。

图14是表示实施方式的变形例2的干燥处理单元的具体结构的一例的示意图。

图15是表示实施方式的变形例3的喷嘴的结构的一例的截面图。

图16是表示实施方式的基片处理系统执行的基片处理的次序的流程图。

附图标记的说明

W晶片(基片的一例)

1基片处理系统(基片处理装置的一例)

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