[发明专利]一种在真空条件下制备钙钛矿薄膜的方法

权利要求书

1.一种在真空条件下制备钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包含以下步骤：

a.配制钙钛矿前驱体溶液：包括钙钛矿前驱体、配体物以及载体溶剂；

b.制备钙钛矿湿膜；

c.在真空仓内通过真空闪蒸的方法辅助钙钛矿前驱体薄膜转变成中间相薄膜；

d.保持真空仓真空状态，对中间相薄膜进行退火处理，得到钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤a中，所述钙钛矿前驱体溶液中的钙钛矿前驱体为ABX₃型有机无机复合钙钛矿，其中A为正一价元素或有机小分子团，包括锂Li、钠Na、钾K、铷Rb、铯Cs、脒基或氨基中的一种或几种阳离子；其中B为正二价金属元素，包括钨W、硒Se、铑Rh、锗Ge、锡Sn、铅Pb、砷As、铟In、锑Sb中的一种或多种阳离子；其中X为负一价卤族元素，包括氟F、氯Cl、溴Br、碘I中的一种或多种阴离子。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤a中，所述钙钛矿前驱体溶液中的配体物包括但不限于二甲基砜DMSO、N-甲基吡咯烷酮NMP二苯亚砜DPSO、二甲基硫丙酸DMSP中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤a中，所述钙钛矿前驱体溶液中的载体溶剂为乙二醇单甲醚2-ME、γ-內丁酯GBL、二甲基砜DMSO、N,N-二甲基甲酰胺DMF与N-甲基吡咯烷酮NMP的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤a中在所述钙钛矿前驱体溶液中，所述钙钛矿前驱体在所述载体溶剂中的质量百分含量为15-75wt％。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤a中，所述钙钛矿前驱体溶液中的配体物与权利要求2中B材料的摩尔比例为1：[0.5-1.5]。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤b中，钙钛矿涂布基片包括ITO基片、FTO基片、Si基片。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征是，其中步骤b中，涂布方式包括旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷涂。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤c中，真空仓内气压需要在1×10²Pa气压以下；闪蒸时真空状态需要维持5-300s。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤d中，退火温度是40-250℃，退火时间是5-60min。