[发明专利]一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法

权利要求书

1.一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中形成像素区的浅沟槽隔离结构以及像素区的光电二极管和浮置扩散区，并在所述像素区的所述半导体衬底上形成多晶硅转移栅，所述多晶硅转移栅位于所述光电二极管和浮置扩散区之间；

直接对所述光电二极管所在的所述半导体衬底表面以及所述多晶硅转移栅的表面进行离子注入，以同时消除所述光电二极管的表面缺陷引起的白点失效以及所述多晶硅转移栅的漏电引起的白点失效；以及

其中，所述半导体衬底包括衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底上，且所述衬底和外延层均掺杂了P型离子，所述浅沟槽隔离结构、光电二极管和浮置扩散区均位于所述外延层中，且所述浮置扩散区掺杂了N型离子，所述光电二极管包括第一N型掺杂区和第二N型掺杂区，所述第一N型掺杂区位于所述第二N型掺杂区下方，所述第二N型掺杂区靠近所述外延层的表面设置，且所述第一N型掺杂区的掺杂浓度较所述第二N型掺杂区的掺杂浓度大。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，直接对所述光电二极管所在的所述半导体衬底表面以及所述多晶硅转移栅的表面进行离子注入包括：

无需光罩直接对所述光电二极管所在的所述半导体衬底表面以及所述多晶硅转移栅的表面进行P型离子注入，以在所述光电二极管上方的所述半导体衬底中形成P型掺杂薄层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述P型离子包括硼离子。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述P型离子注入的能量为15 keV ~25keV，剂量为2e11cm -2 ~2 e13 cm -2 ，所述P型离子注入时的入射角度与所述半导体衬底的表面的垂线的夹角为-5°~5°。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，离子注入工艺之后，还包括：

清洁所述半导体衬底。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅转移栅掺杂了N型离子。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的外侧形成有第一隔离阱，所述浅沟槽隔离结构的下方形成有第二隔离阱，所述第一隔离阱还位于所述第一N型掺杂区上方，所述第二隔离阱还位于所述第一N型掺杂区一侧，使得所述第一隔离阱和第二隔离阱共同用于防止所述第一N型掺杂区漏电引起的白点失效。