[发明专利]高压晶体管仿真模型及建模方法

权利要求书

1.一种高压晶体管仿真模型的建模方法，其特征在于，所述建模方法包括：

在BSIM仿真模型基础上，在高压晶体管的漏极端串联一个可变电阻，在一定温度条件下，所述可变电阻的阻值与所述高压晶体管的栅源电压Vgs和漏源电压Vds的多项式函数f（Vgs，Vds）成正比，所述多项式函数f（Vgs，Vds）满足如下关系式：

f（Vgs，Vds）=p0 + pg1*Vgs + pg2*Vgs² + pg3*Vgs³+pd1*Vds

+pd2*Vds²+pd3*Vds³+pdg11*Vds*Vgs+pdg12*Vds*Vgs²

+pdg22*Vds²*Vgs²+pdg21*Vds²*Vgs，

其中，p0、pg1、pg2、pg3、pd1、pd2、pd3、pdg11、pdg12、pdg22和pdg21为测试参数；

在所述高压晶体管的沟道长度不变的情况下，所述可变电阻的阻值与所述高压晶体管的沟道宽度W、温度T和所述多项式函数f（Vgs，Vds）之间的关系式为：

，其中，Rdex为所述可变电阻的阻值，TCRdex为温度系数，温度T的单位为摄氏度，室温下T=25℃。

2.如权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述建模方法中，根据所述高压晶体管的沟道宽度的不同取值设置至少两个沟道尺寸范围，并针对每个所述沟道尺寸范围，使所述多项式函数f（Vgs，Vds）具有对应的一组所述测试参数。

3.如权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述建模方法中，根据沟道宽度的不同取值和沟道长度的不同取值，设置至少两个沟道尺寸范围，针对每个所述沟道尺寸范围，使所述多项式函数f（Vgs，Vds）具有对应的一组所述测试参数。

4.如权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述建模方法还包括：

利用SPICE工具调用所述可变电阻，得到优化后的BSIM仿真模型。