[发明专利]增强高速缓存脏信息

权利要求书

1.一种存储器存储系统，其包括：

非易失性半导体存储器装置，其经配置以存储包括分组到至少一个第一区及至少一个第二区中的条目的查找表LUT；

易失性半导体存储器装置，其经配置以临时存储来自所述非易失性半导体存储器装置的所述LUT的所述条目；及

控制器，其经配置以响应于从在所述存储器存储系统外部的主机接收的命令而存储及检索所述非易失性半导体存储器装置中的数据，所述控制器包括高速缓存，所述高速缓存包括通信地耦合到所述易失性半导体存储器装置的多个高速缓存线且经配置以将从所述易失性半导体装置的多个地址中的地址m读取的条目临时存储于所述多个高速缓存线中的高速缓存线z中，所述控制器经配置以：

将第一状态指示符及第二状态指示符指派给对应于所述易失性半导体存储器装置的多个高速缓存地址的所述高速缓存中的所述多个高速缓存线中的每一者，所述第一状态指示符对应于属于所述LUT的所述第一区的所述易失性半导体存储器装置的第一高速缓存地址的条目，且所述第二状态指示符对应于属于所述LUT的所述第二区的所述易失性半导体存储器装置的所述第一高速缓存地址的条目，

更新读取到所述高速缓存的所述高速缓存线z中的所述易失性半导体存储器装置中的所述地址m处的所述LUT的条目，

基于从所述地址m读取的所述高速缓存线z中的经更新条目是在所述LUT的相应所述第一区还是所述第二区中来将所述第一状态指示符或所述第二状态指示符设置为脏状态，及

基于所述高速缓存线z的所述第一状态指示符或所述第二状态指示符的所述脏状态来将与含有所述经更新条目的所述第一区或所述第二区相关联的所述易失性半导体存储器装置中的所有条目复制到所述非易失性半导体存储器装置。

2.根据权利要求1所述的存储器存储系统，其中所述控制器进一步经配置以：

将地址m处的所述LUT的所述条目读取到所述高速缓存线z；及

将所述高速缓存线z写回到所述易失性半导体存储器装置的地址m。

3.根据权利要求1所述的存储器存储系统，其中所述控制器经配置以一次仅更新所述高速缓存中的所述LUT的一个条目。

4.根据权利要求1所述的存储器存储系统，其中所述控制器经配置以基于从所述主机接收的命令经由所述高速缓存重复更新所述易失性半导体存储器装置中的所述LUT的条目。

5.根据权利要求1所述的存储器存储系统，其中所述LUT将逻辑集群地址LCA映射到所述非易失性半导体存储器装置中的媒体集群地址MCA。

6.根据权利要求1所述的存储器存储系统，其中所述非易失性半导体存储器装置经配置以存储将与所述至少一个第一区及所述至少一个第二区中的每一者相关联的索引映射到所述非易失性半导体存储器装置中的媒体集群地址MCA的第二LUT。

7.根据权利要求6所述的存储器存储系统，其中所述控制器进一步经配置以：

存取所述第二LUT以确定含有所述非易失性半导体存储器装置中的所述经更新条目的所述区的起始MCA地址。

8.根据权利要求1所述的存储器存储系统，其中所述控制器进一步经配置以：

当所述存储器存储系统第一次启动时，将所述LUT从所述非易失性半导体存储器装置复制到所述易失性半导体存储器装置。

9.根据权利要求1所述的存储器存储系统，其中所述第一及第二状态指示符各自包括一位。

10.根据权利要求9所述的存储器存储系统，其中每一位在所述地址m处的所述LUT的所述条目在所述高速缓存中更新之前设置为干净状态。

11.根据权利要求10所述的存储器存储系统，其中所述控制器针对所述干净状态将所述位设置为‘0’及针对所述脏状态将所述位设置为‘1’。