[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

一阵列区，包括多个有源区，以及一第一绝缘层位于所述多个有源区之间；

围绕所述阵列区的一周围区，包括：

一周围结构；

一第二绝缘层，围绕所述周围结构；以及

一第三绝缘层，围绕所述第二绝缘层；以及

至少一埋入式字线，延伸穿过所述阵列区及所述周围区，其中所述埋入式字线切过所述第二绝缘层的部分包括一颈部轮廓。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述埋入式字线切过所述多个有源区的部分包括一第一线宽，所述埋入式字线切过所述周围结构的部分包括一第二线宽，所述埋入式字线切过所述第二绝缘层的部分包括一第三线宽，其中，所述第三线宽小于所述第一线宽和所述第二线宽。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一线宽等于所述第二线宽。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述埋入式字线切过所述第一绝缘层的部分包括一第四线宽，所述埋入式字线切过所述第三绝缘层的部分包括一第五线宽，其中，所述第四线宽和所述第五线宽大于或等于所述第一线宽和所述第二线宽。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第四线宽等于所述第五线宽。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一绝缘层还位于所述周围结构及所述第二绝缘层之间并围绕所述周围结构，其中，所述周围结构和所述第二绝缘层由所述第一绝缘层区隔开，不直接接触。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第三绝缘层由所述第二绝缘层区隔开，不直接接触。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层包括氧化硅，所述第二绝缘层包括氮化硅。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述埋入式字线切过所述多个有源区的部分包括一第一厚度，所述埋入式字线切过所述周围结构的部分包括一第二厚度，所述埋入式字线切过所述第二绝缘层的部分包括一第三厚度，其中，所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二厚度大于所述第一厚度。

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述埋入式字线切过所述第一绝缘层的部分包括一第四厚度，所述第四厚度大于所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度。

12.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述埋入式字线切过所述第三绝缘层的部分包括一第五厚度，所述第五厚度等于所述第三厚度。

13.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括一绝缘盖层位于所述埋入式字线上，其中，所述绝缘盖层的顶面与所述第三绝缘层的顶面齐平。

14.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，围绕所述周围结构的所述第二绝缘层包括波浪状轮廓。