[发明专利]抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种抛光垫，其中，

包括抛光层，

所述抛光层形成有具备外皮的多个微孔并包含无机成分，

所述无机成分为Mg，相对于抛光层的总重量，所述Mg的含量为小于90ppm。

2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

所述抛光层满足下述第1式，

第1式：

在第1式中，DS为利用化学机械平坦化抛光装置来在对象膜质为氧化硅，抛光荷重为4.0psi，附着有所述抛光垫的平板的旋转速度为150rpm，煅烧的二氧化铈浆料的注入速度为250ml/min，抛光时间为60秒的条件下完成抛光工艺后，产生的缺陷和划痕的数量，

RR为在所述抛光工艺中对所述氧化硅的抛光率，所述抛光率的单位为

D_Mg为相对于所述抛光层的总重量的Mg的含量，所述含量的单位为ppm，

DS×D_Mg/RR为除单位之外的数值之间的比率。

3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

针对所述抛光层的微孔，根据下述第2式的值为0.7至0.8：

第2式：

在第2式中，

D10为10％体积累积分布上的气孔直径，

D50为50％体积累积分布上的气孔直径。

4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

所述抛光层的微孔的D10至D100的测定值的标准偏差为4至10。

5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

所述外皮源自可膨胀固体发泡剂。

6.根据权利要求5所述的抛光垫，其中，

所述固体发泡剂的pH为8以下。

7.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

所述外皮为选自由偏二氯乙烯类共聚物、丙烯腈类共聚物、甲基丙烯腈类共聚物以及丙烯酸类共聚物组成的组中的一者以上。

8.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，

关于所述抛光垫，当利用化学机械平坦化抛光装置，在对象膜质为氧化硅，抛光荷重为4.0psi，附着有所述抛光垫的平板的旋转速度为150rpm，煅烧的二氧化铈浆料的注入速度为250ml/min，抛光时间为60秒的条件下进行抛光工艺时，在所述抛光工艺中，对所述氧化硅的抛光率为至

9.一种抛光垫的制备方法，其中，包括：

第一步骤，制备预聚物组合物，

第二步骤，制备包含所述预聚物组合物、发泡剂以及固化剂的抛光层制备用组合物，以及

第三步骤，通过固化所述抛光层制备用组合物来制备抛光层；

所述抛光层形成有具备外皮的多个微孔并包含无机成分，

所述无机成分为Mg，相对于抛光层的总重量，所述Mg的含量为小于90ppm。

10.根据权利要求9所述的抛光垫的制备方法，其中，

所述发泡剂为可膨胀固体发泡剂，

所述发泡剂通过所述第三步骤的固化工艺膨胀，从而生成多个气孔。

11.一种半导体器件的制造方法，其中，包括：

第一步骤，提供包括抛光层的抛光垫，以及

第二步骤，在所述抛光层的抛光面和半导体基板的被抛光面接触的状态下，在使所述抛光层与所述半导体基板相对旋转的同时抛光所述半导体基板；

所述抛光层形成有具备外皮的多个微孔并包含无机成分，

所述无机成分为Mg，相对于抛光层的总重量，所述Mg的含量为小于90ppm。