[发明专利]声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器在审
| 申请号： | 202210230145.5 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114584101A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 许欣 | 申请（专利权）人： | 广东广纳芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/25;H03H9/64;H03H3/10;H03H9/145 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面波 谐振器 及其 制造 方法 以及 滤波器 | ||
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
复合压电衬底，该复合压电衬底具有：LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成，及形成在所述LGS基底层之上的GaN压电层，该GaN压电层的厚度不超过在所述声表面波谐振器中传播的声波波长的20倍；以及
形成在所述GaN压电层上的叉指电极。
2.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述LGS基底层在声波传播方向欧拉角(0°,138.5°,26.5°)下具有0温度系数。
3.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述GaN压电层是外延生长在所述LGS基底层上的外延单晶薄膜。
4.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述GaN压电层通过MOCVD、MBE、HVPE中的任一种方式形成在所述LGS基底层上。
5.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
在所述GaN压电层与所述LGS基底层之间还形成有用于制备所述GaN压电层的种子层，且该种子层的厚度在以内。
6.如权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述种子层为AlN。
7.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述叉指电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd中的任一种金属、或它们的合金、或它们的层叠体构成。
8.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，
还包括形成于所述叉指电极表面的保护层。
9.如权利要求8所述的声表面波谐振器，其特征在于，
所述保护层由SiO2、Si3N4、SiFO、SiOC中的任一种形成。
10.一种制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，包括：
准备LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成；
在所述LGS基底层之上形成GaN压电层从而得到复合压电衬底，该GaN压电层的厚度不超过在声表面波谐振器中传播的声波波长的20倍；以及
在所述GaN压电层上形成叉指电极。
11.如权利要求10所述的制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，
所述GaN压电层是外延生长在所述LGS基底层上的外延单晶薄膜。
12.如权利要求10所述的制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，
所述GaN压电层通过MOCVD、MBE、HVPE中的任一种方式形成在所述LGS基底层上。
13.如权利要求10所述的制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，
还包括在所述GaN压电层上形成种子层的步骤，在所述种子层上制备所述GaN压电层，且该种子层的厚度在以内。
14.如权利要求13所述的制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，
所述种子层为AlN。
15.如权利要求10所述的制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，
所述叉指电极通过在所述GaN压电层上直接形成图形化的电极来制备。
16.如权利要求10所述的制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，
所述叉指电极可以通过对所述GaN压电层进行图形化加工后填充电极材料来制备。
17.一种声表面波滤波器，其特征在于，
包括至少一个所述声表面波谐振器、以及连接至少一个所述声表面波谐振器的引线。
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