[发明专利]电迁移测试结构、半导体结构及三维存储器

权利要求书

1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：

测试线，所述测试线连接有阳极引线和阴极引线；

衬底，与所述阴极引线连接，所述衬底配置为通过所述阴极引线接收所述测试线中的静电荷。

2.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其中，

所述阴极引线包括叠层结构，所述叠层结构包括在垂直于所述衬底的方向上交替叠置的第一金属层和第二金属层；

所述叠层结构的一端通过信号传输插塞与所述测试线连接，所述叠层结构的另一端与所述衬底连接。

3.根据权利要求2所述的电迁移测试结构，其中，

所述第一金属层包括多根相互交织呈网格状的金属线；

所述第二金属层包括多个呈阵列状的金属通孔结构；

其中，所述第一金属层中所述金属线的交织位置与所述第二金属层中的所述金属通孔结构一一对应连接。

4.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：

衬底；

测试线，所述测试线连接有第一引线和第二引线；

其中，所述第一引线和所述第二引线分别通过电流单向导通结构与所述衬底连接，两个所述电流单向导通结构的导通方向相反；所述衬底配置为通过所述第一引线和所述第二引线接收所述测试线中的静电荷。

5.根据权利要求4所述的电迁移测试结构，其中，

所述第一引线和所述第二引线分别与所述测试线靠近所述衬底的一侧和远离所述衬底的一侧连接；

或者，所述第一引线和所述第二引线均与所述测试线靠近所述衬底的一侧或远离所述衬底的一侧连接。

6.根据权利要求4所述的电迁移测试结构，其中，两个所述电流单向导通结构形成在所述衬底中；

其中，每个所述电流单向导通结构包括：

第一掺杂区，具有第一掺杂离子，且与所述第一引线或所述第二引线连接；

第二掺杂区，与所述第一掺杂区接触并包围所述第一掺杂区，以使所述第一掺杂区与所述衬底电隔离，所述第二掺杂区具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。

7.根据权利要求4-6任一所述的电迁移测试结构，其中，

所述第一引线和所述第二引线均包括叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的第一金属层和第二金属层；

所述叠层结构的一端通过信号传输插塞与所述测试线连接，所述叠层结构的另一端与所述衬底连接。

8.根据权利要求7所述的电迁移测试结构，其中，

所述第一金属层包括多根相互交织呈网格状的金属线；

所述第二金属层包括多个呈阵列状的金属通孔结构；

其中，所述第一金属层中所述金属线的交织位置与所述第二金属层中的所述金属通孔结构一一对应连接。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括如权利要求1-3任一所述的电迁移测试结构或者如权利要求4-8任一所述的电迁移测试结构。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，还包括多个芯片，相邻的所述芯片之间具有切割道；

所述电迁移测试结构设置在所述切割道内。

11.一种三维存储器，其特征在于，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆的外侧面具有如权利要求9或10所述的半导体结构，所述第一晶圆的内侧面具有外围电路；以及

第二晶圆，所述第二晶圆的内侧面具有存储单元阵列及互连结构；

其中，所述第一晶圆的内侧面和所述第二晶圆的内侧面彼此键合。