[发明专利]正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法在审
| 申请号： | 202210232027.8 | 申请日： | 2017-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN115188932A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 川上贵洋;落合辉明;门马洋平;鹤田彩惠;高桥正弘;三上真弓 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;李啸 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正极 活性 物质 粒子 以及 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种方法，包括：
在距正极活性物质的表面约1nm的深度处进行基于电子能量损失谱法的分析，所述正极活性材料具有包含锂和钴的复合氧化物；
从通过所述电子能量损失谱法的分析得到的光谱计算钴的L2能级和L3能级的光谱强度比L3/L2，
由所述L3/L2来判断2价的钴的原子个数是否多于呈现其他化合价的钴的原子个数。
2.如权利要求1所述的方法，所述L3/L2为3.8以上。
3.一种方法，包括：
在正极活性物质中，在第一区域和第二区域的每一个中进行基于电子能量损失谱法的分析，其中所述正极活性物质在所述第一区域中具有锂、钴和氧，并且具有位于所述第一区域外侧的具有镁、钴和氧的第二区域；
从通过所述电子能量损失谱法的分析得到的光谱计算所述第一区域中钴的L2能级和L3能级的光谱强度比L3/L2；
从所述第一区域中的L3/L2来判断3价的钴的原子个数是否多于呈现其他化合价的钴的原子个数；
从通过所述电子能量损失谱法的分析得到的光谱计算所述第二区域中钴的L2能级和L3能级的光谱强度比L3/L2；
从所述第二区域中的L3/L2来判断2价的钴是否多于呈现其他化合价的钴。
4.如权利要求3所述的方法，所述第一区域中的L3/L2小于3.8，所述第二区域中的L3/L2为3.8以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210232027.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
