[发明专利]基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法

权利要求书

1.一种基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，包括：

通过离子注入形成n阱与p阱，并基于所述n阱与p阱通过刻蚀工艺形成深沟区和浅沟区，对所述浅沟区进行研磨填充以将所述n阱与p阱隔离形成n阱区域与p阱区域；

在所述n阱区域与所述p阱区域中分别进行离子注入以形成n+有源区和p+有源区；

将所述n+有源区所在的第一个二极管通过CT与字线相连接；将所述p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；并通过CT将所述第一个二极管的p型端与所述第二个二极管的n型端连接至metal层，将metal层与所述RRAM器件相连以形成RRAM阵列；其中，两个二极管和一个RRAM器件连结组成所述RRAM阵列中的存储单元；

按照预设的操作表使所述RRAM阵列做读取、写入、擦除操作。

2.如权利要求1所述的基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，在通过离子注入形成n阱与p阱的过程中，包括：

所述n阱由n型元素离子注入而成，所述p阱由p型元素离子注入而成。

3.如权利要求2所述的基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，在注入元素离子的过程中，

通过调节注入能量来调结所述n阱或所述p阱的注入深度，通过调节注入剂量调节所述n阱或所述p阱的浓度；其中，

所述n阱与所述p阱的深度与浓度的不同形成n阱与p阱间反偏漏电，并且形成正偏电流。

4.如权利要求1所述的基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，形成n阱与p阱后，

在所述n阱与所述p阱之间形成np结，所述np结在所述n阱相对于所述p阱加正压时形成反偏效应。

5.如权利要求1所述的基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，在所述RRAM阵列做读取操作的过程中，

对于所述RRAM阵列中被选中的存储单元，将位线电压设置为Vrd电压，将字线电压设置为0V，复位线无论是否被选中均置为0V。

6.如权利要求1所述的基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，在所述RRAM阵列做写入的过程中，

对于所述RRAM阵列中被选中的存储单元，将位线电压设置为Vset电压，将字线电压设置为0V，复位线无论是否被选中均置为0V。

7.如权利要求6所述的基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法，其特征在于，在所述RRAM阵列做擦除操作的过程中，

对于所述RRAM阵列中被选中的存储单元的复位线加RESET电压，位线加0V，对于所述RRAM阵列中未被选中的位线加RESET电压以抑制漏电。

8.一种基于驱动电流和窗口改进的阵列，基于如权利要求1-7任一所述的基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法生成，包括：

n阱与p阱，其中所述n阱与p阱由离子注入形成；

在所述n阱与p阱上通过刻蚀工艺形成有深沟区和浅沟区；浅沟区将所述n阱与p阱隔离划分为n阱区域与p阱区域；

在所述n阱区域与所述p阱区域中分别注入有离子以形成n+有源区和p+有源区；

所述n+有源区所在的第一个二极管通过CT与字线相连接；所述p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；所述第一个二极管的p型端与所述第二个二极管的n型端通过所述CT连接有metal层，所述metal层与所述RRAM器件相连以形成RRAM阵列；其中，两个二极管和一个RRAM器件连结组成所述RRAM阵列中的存储单元；所述RRAM阵列用于按照预设的操作表做读取、写入、擦除操作。

9.如权利要求8所述的基于驱动电流和窗口改进的阵列，其特征在于，

所述n阱内含有n型元素离子，所述p阱内含有p型元素离子。

10.如权利要求8所述的基于驱动电流和窗口改进的阵列，其特征在于，

在所述n阱与所述p阱之间形成np结，所述np结在所述n阱相对于所述p阱加正压时形成反偏效应。