[发明专利]一种基于立方氮化硼（c-BN） 单晶材料的肖特基-PN结二极管在审
| 申请号： | 202210240601.4 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114613852A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郑伟;林卓耿;朱思琪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/47;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 高冰 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 立方 氮化 bn 材料 肖特基 pn 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基-PN结二极管，其特征在于，所述的肖特基-PN结二极管包括c-BN晶体、ITO薄膜和Au电极。其中，在所述c-BN晶体的两侧分别镀上ITO薄膜和Au电极，再将Au与In焊接，作为外接导线。
2.根据权利要求1所述的基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基-PN结二极管，其特征在于，所述c-BN晶体在温度为1800℃、压强为6GPa的高温高压条件下合成所得。
3.根据权利要求1或2所述的基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基-PN结二极管，其特征在于，所述c-BN晶体最大宽度处约1.5mm。
4.根据权利要求1所述的基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基-PN结二极管，其特征在于，所述肖特基-PN结二极管的理想因子为25.15，开启电压为5V。
5.根据权利要求1所述的基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基-PN结二极管，其特征在于，所述c-BN晶体与Au电极之间形成了肖特基接触，所述c-BN晶体与ITO薄膜之间形成了PN结接触。
6.一种如权利要求1所述的基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基-PN结二极管的应用，其特征在于，可应用于功率二极管。
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