[发明专利]一种电磁场辅助激光解键合的方法在审
| 申请号： | 202210241724.X | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114582781A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张国平;王方成;刘强;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/56;B23K26/12;B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈;李玉娜 |
| 地址： | 518103 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电磁场 辅助 激光 解键合 方法 | ||
1.一种电磁场辅助激光解键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将键合的晶圆对置于电场和磁场中，其中，所述键合的晶圆对包括由光敏材料形成的键合层、承载晶圆和器件晶圆；采用激光发生器对所述键合的晶圆对的目标区域进行照射，使所述键合层产生的等离子体在电场和磁场的作用下向所述承载晶圆偏转。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电场为匀强电场；
优选地，所述磁场为匀强磁场。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁场的方向为：将所述键合的晶圆对，承载晶圆为上，器件晶圆为下放置，所述磁场的磁场方向穿过纸内方向，优选为垂直穿过纸内方向；
优选地，所述磁场的磁场方向与所述电场的电场方向垂直。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光敏材料对激光光子能量的吸收率≥80％；
优选地，所述激光发射器发射的激光的峰值功率密度≥1×108W/cm2；
优选地，所述激光的波段选自UV、可见光和红外光中的任一种；
优选地，所述激光的脉宽选自纳秒、皮秒和飞秒中的任一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由光敏材料形成的键合层的制备过程包括以下步骤：将涂有光敏响应胶的承载晶圆与涂有键合胶的器件晶圆经过热压键合，将所述器件晶圆固定在所述承载晶圆上；
优选地，所述器件晶圆不具有磁性。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括将所述承载晶圆与器件晶圆分离并清洗的过程。
7.权利要求1-6任一所述的方法在电子封装中的应用，其特征在于，在晶圆的临时键合/解键合中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，在超薄晶圆的临时键合/解键合中的应用，所述超薄晶圆的厚度≤200μm。
9.一种芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将涂有光敏响应胶的承载晶圆与涂有键合胶的器件晶圆经过热压键合，将器件晶圆固定在承载晶圆上得到键合的晶圆对；对得到的键合的晶圆上的器件晶圆进行减薄以及制作结构；对减薄以及制作结构后的键合的晶圆对进行解键合；将所述承载晶圆与器件晶圆分离并进行清洗得到超薄器件晶圆；对清洗后的超薄器件晶圆进一步加工；
其中，所述解键合的过程通过权利要求1-5中任一所述的方法实现。
10.权利要求9所述的制备方法得到的芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
