[发明专利]电光装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 202210241969.2 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN115079475B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 横田智己;森田喜久哉 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 马建军;李庆泽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电光 装置 电子设备
【说明书】:

电光装置和电子设备。实现如下的电光装置和电子设备:在利用在彼此交叉的方向上延伸的槽来增大电容元件的静电电容的情况下也够容易地填埋由于槽而引起的凹部。在电光装置的基板主体(19)形成有第1槽(191)和在与第1槽(191)交叉的方向上延伸的第2槽(192、193)。电容元件(55)由层叠膜(550)构成,层叠膜(550)包含在包含第1槽(191)和第2槽(192、193)的区域中依次层叠的第1导电膜(4a)、电介质膜和第2导电膜(5a)。在第1槽(191)和第2槽(192、193)交叉时,在蚀刻时,交叉部的宽度较宽,但在第1槽(191)和第2槽(192、193)分离等不交叉的情况下,不易产生宽度较宽的部分。因此,容易通过第1绝缘膜(41)填埋槽。

技术领域

本发明涉及电光装置和电子设备。

背景技术

在液晶装置等电光装置中,广泛采用如下构造:在像素电极与基板主体之间设置电容元件,通过电容元件保持像素电极的电压。一般而言,电容元件由遮光性的导电层构成,因此,一般设置于在俯视时与扫描线或数据线重叠的区域。另一方面,在电容元件中,优选静电电容较大。因此,提出了如下构造:在俯视时与电容元件重叠的区域设置槽,利用槽的侧壁增大电容元件的静电电容(参照专利文献1)。在专利文献1中提出了如下构造:沿着数据线延伸的1条第1槽和沿着扫描线延伸的1条第2槽配置成L字形状。

专利文献1:日本特开2004-363300号公报

在专利文献1记载的结构中,为了进一步扩展槽而增大电容元件的静电电容,例如可考虑以彼此交叉的方式延长第1槽和第2槽的构造。但是,在使第1槽和第2槽交叉的情况下,在蚀刻时,在第1槽与第2槽的交叉部,相对于第1槽和第2槽双方,倾斜方向的开口宽度变大,在形成电容元件、绝缘膜后也很难填埋凹部。因此,在利用在彼此交叉的方向上延伸的槽来形成电容元件等元件的情况下,存在无法容易地填埋由于槽而引起的凹部的课题。

发明内容

为了解决上述课题,本发明的电光装置的一个方式的特征在于,所述电光装置具有:基板主体,其包含第1槽和第2槽,该第2槽与所述第1槽分开地设置,沿着与所述第1槽的延伸方向交叉的方向延伸;层叠膜,其包含在与所述第1槽以及所述第2槽重叠的区域中依次层叠的第1导电膜、电介质膜和第2导电膜;以及第1绝缘膜,其覆盖所述层叠膜。

本发明的电光装置用于各种电子设备。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的电光装置的一个方式的俯视图。

图2是图1所示的电光装置的剖视图。

图3是示出图1所示的电光装置的电气结构的框图。

图4是图1所示的电光装置中相邻的多个像素的俯视图。

图5是放大示出图4所示的晶体管周边的俯视图。

图6是图5所示的晶体管周边的G-G′剖视图。

图7是图5所示的晶体管周边的S-S′剖视图。

图8是图5所示的电容元件的俯视图。

图9是图5所示的晶体管的俯视图。

图10是图5所示的中继电极的俯视图。

图11是图5所示的数据线和电容线的俯视图。

图12是图8所示的第1槽等的宽度方向的剖视图。

图13是本发明的参考例的第1槽和第2槽的俯视图。

图14是图13所示的第1槽与第2槽的交叉部等的剖视图。

图15是本发明的实施方式2的电光装置的说明图。

图16是本发明的实施方式3的电光装置的说明图。

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