[发明专利]埋入式电力轨架构在审
申请号: | 202210243907.5 | 申请日: | 2022-03-10 |
公开(公告)号: | CN115083450A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | S·斯亚咖依;E·阿米兰特;安迪·旺坤·陈;庄耀强;索尼 | 申请(专利权)人: | Arm有限公司 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;H01L27/02;H01L23/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 埋入 电力 架构 | ||
1.一种方法,所述方法包括:
在存储器实例下方铺设埋入式电力轨;
识别设置在第一层中的所述埋入式电力轨的第一轨和设置在第二层中的垂直于所述第一轨的所述埋入式电力轨的第二轨;
识别具有第一长度的所述第一轨的长轨和具有第二长度的所述第一轨的短轨,所述第二长度小于所述第一长度;以及
利用在所述第一层与所述第二层之间延伸的通孔将所述长轨和所述短轨分别耦接到所述第二轨。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一层中的第一组所述长轨耦接到接地,并且
所述第一层中的第二组所述长轨耦接到第一电源。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述第二层中的第一组所述第二轨通过耦接到所述第一层中的所述第一组所述长轨的通孔耦接到接地,并且
所述第二层中的第二组所述第二轨通过耦接到所述第一层中的所述第二组所述长轨的另一通孔耦接到所述第一电源。
4.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一层中的第一组所述短轨耦接到第二电源,并且
所述第一层中的第二组所述短轨耦接到第三电源。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
所述第二层中的第三组所述第二轨通过耦接到所述第一层中的所述第一组所述短轨的通孔耦接到所述第二电源,并且
所述第二层中的第四组所述第二轨通过耦接到所述第一层中的所述第二组所述短轨的另一通孔耦接到所述第三电源。
6.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一轨具有第一宽度,并且
所述第二轨具有大于所述第一宽度的第二宽度。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
通过将空白空间定位成对应于与所述第一层中的所述短轨内联的孔隙率通道的空间间隙来识别与所述第二层相关的孔隙率,
其中基于与所述孔隙率相关联的用户定义的参数来在所述第二层中任选地添加一个或多个附加第二轨。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
从与所述孔隙率相关联的所述用户定义的参数获取用户定义的孔隙率信息,
其中所述用户定义的孔隙率信息包括所述第二轨的通道宽度和频率。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:
根据所述用户定义的参数和孔隙率信息提供配电网格的物理布局设计,用于在所述存储器实例下方铺设所述电力轨,
其中所述配电网格基于和与所述第一层相关联的所述孔隙率通道有关的用户定义的输入。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:
基于与屏蔽信号路由相关联的所述用户定义的参数来选择所述孔隙率;以及
为所述第二电力轨提供更紧密的间距,以便允许与用于屏蔽信号路由的所述用户定义的参数相关联的单轨道信号路由。
11.一种方法,所述方法包括:
制造存储器实例;
制造具有在所述存储器实例下方铺设的埋入式电力轨的配电网络;以及
制造所述埋入式电力轨,其中第一轨位于第一层中,并且垂直于所述第一轨布置的第二轨位于第二层中,其中:
所述第一轨包括具有第一长度的长轨和具有小于所述第一长度的第二长度的短轨,并且
利用在所述第一层与所述第二层之间延伸的通孔将所述长轨和所述短轨分别耦接到所述第二轨。
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