[发明专利]一种倒装高压发光二极管芯片及制备方法

权利要求书

1.一种倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括：衬底、外延层、以及将外延层隔离成至少两个独立发光单元的隔离槽、电流阻挡层、电流扩展层、电极层、布拉格反射层与焊盘层；

其中，所述隔离槽的角度为25°-60°，所述独立发光单元至少包括X个第一发光单元与Y个第二发光单元，第一发光单元与第二发光单元相邻设置，X、Y均为≥1的整数；

所述电极层包括设于所述第一发光单元的P型电极与N型电极、设于第二发光单元的P型电极与N型电极，以及用于连接第一发光单元的N型电极与第二发光单元的P型电极的桥接电极。

2.根据权利要求1所述的倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，所述桥接电极的宽度为20um -50 um。

3.根据权利要求2所述的倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，所述隔离槽的角度为45°，所述桥接电极的宽度为30um。

4.根据权利要求2所述的倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，所述隔离槽的角度为30°，所述桥接电极的宽度为35um。

5.根据权利要求2所述的倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，所述隔离槽的角度为35°，所述桥接电极的宽度为40um。

6.根据权利要求1-5任一项所述的倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，所述焊盘层设于所述布拉格反射层之上，所述焊盘层包括设于所述第一发光单元的布拉格反射层之上的P型焊盘层，以及设于所述第二发光单元的布拉格反射层之上的N型焊盘层。

7.根据权利要求6所述的倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光单元的布拉格反射层上设有P型反射通孔，所述P型焊盘层通过所述P型反射通孔与所述第一发光单元的P型电极接触以形成电性连接；

所述第二发光单元的布拉格反射层上设有N型反射通孔，所述N型焊盘层通过所述N型反射通孔与所述第二发光单元的N型电极接触以形成电性连接。

8.一种倒装高压发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1-7任一项所述的倒装高压发光二极管芯片，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底之上制作外延层，所述外延层自下而上依次包括缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；

对所述外延层进行刻蚀以制作得到MESA台阶；

对所述外延层进行刻蚀以刻蚀至所述衬底得到隔离槽，所述隔离槽将所述外延层隔离成至少两个独立发光单元；其中，所述独立发光单元至少包括X个第一发光单元与Y个第二发光单元，第一发光单元与第二发光单元相邻设置，X、Y均为≥1的整数；

在所述外延层的表面制作电流阻挡层；

在所述电流阻挡层、外延层的表面制作电流扩展层；

在所述MESA台阶、电流扩展层的表面制作电极层；其中，所述电极层包括第一发光单元的P型电极与第一发光单元的N型电极、第二发光单元的P型电极与第二发光单元的N型电极，以及连接第一发光单元的N型电极与第二发光单元的P型电极的桥接电极；

在所述电极层、隔离槽、MESA台阶及电流扩展层的表面制作布拉格反射层；

在所述布拉格反射层的表面制作焊盘层。

9.根据权利要求8所述的倒装高压发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，对所述外延层进行刻蚀以刻蚀至所述衬底得到隔离槽的步骤中，所述隔离槽的角度为25°-60°。