[发明专利]一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片

说明书

本申请公开了一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片，用于同时对锗晶片进行双面抛光，其中，包括：第一粗抛工序采用第一粗抛光液和第一抛光布；第二粗抛工序采用第二粗抛光液和第一抛光布；第一精抛工序采用第一细抛光液和第二抛光布；第二精抛工序采用第二细抛光液和第二抛光布；各工序中转速的关系为：第一粗抛工序＜第二粗抛工序＜第一精抛工序＜第二精抛工序；第一抛光布的硬度大于第二抛光布的硬度；各工序中抛光温度为35℃～40℃。本申请实施例提供的锗晶片的双抛工艺，采用两次粗抛和两次精抛的组合方式，通过匹配不同的参数，实现化学抛光和机械抛光之间的匹配，实现锗晶片的快速抛光，并取得较好的精抛表面质量。

技术领域

本申请一般涉及锗晶片技术领域，具体涉及一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片。

背景技术

锗是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，有明显的非金属性质，其化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用。锗在地壳中的含量约为0.0007％，是地壳中最分散的元素之一，几乎没有比较集中的锗矿，其被广泛应用于电子、光学、化工、生物医学、能源及其他高新科技领域。

对锗晶片的抛光是加工工序中重要一环，直接影响其产品的光学性能。但目前抛光后晶片粗糙度较高，同时加工效率较低，国内大多企业只能进行零件的单面抛光，且同样存在加工效率低、表面质量和平整度差等问题。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片，可以采用双面抛光、减小抛光后晶片的表面粗糙度，提高加工效率。

第一方面，本申请提供了一种锗晶片的双抛工艺，用于同时对锗晶片进行双面抛光，其中，包括：

第一粗抛工序，采用第一粗抛光液和第一抛光布；

第二粗抛工序，采用第二粗抛光液和第一抛光布；

第一精抛工序，采用第一细抛光液和第二抛光布；

第二精抛工序，采用第二细抛光液和第二抛光布；

所述第一粗抛光液和所述第二粗抛光液的pH值呈碱性；所述第一细抛光液和所述第二细抛光液的pH值呈酸性；各工序中转速的关系为：第一粗抛工序＜第二粗抛工序＜第一精抛工序＜第二精抛工序；所述第一抛光布的硬度大于所述第二抛光布的硬度；各工序中抛光温度为35℃～40℃。

可选地，所述第一粗抛光液包括：0号磨料、氧化剂、碱性pH调节剂，所述碱性pH调节剂为有机碱；所述第一粗抛光液的pH值为8-11。

可选地，所述第二粗抛光液包括：0号磨料、氧化剂、碱性pH调节剂，所述碱性pH调节剂包括有机胺碱和磷酸氢二铵，所述第二粗抛光液的pH值为8-11。

可选地，所述第一粗抛光液和所述第二粗抛光液中0号磨料的浓度关系为：所述第一粗抛光液＜所述第二粗抛光液。

可选地，所述第一精抛光液包括：1号磨料、酸性pH调节剂，所述酸性pH调节剂为有机酸；所述第一精抛光液的pH值为4-6。

可选地，所述第二精抛光液包括：2号磨料、酸性pH调节剂，所述酸性pH调节剂为有机酸；所述第二精抛光液的pH值为4-6。

可选地，各抛光液中磨料的粒度大小关系为：0号磨料＞1号磨料＞2号磨料。

可选地，所述第一抛光布为聚氨酯或者聚氨酯内填充有氧化铈，所述第二抛光布为纤维复合物。

第二方面，本申请提供了一种锗晶片的双抛装置，用于执行如以上任一所述的锗晶片的双抛工艺，包括：

上盘和下盘，所述上盘和所述下盘上固定设置有抛光布；所述上盘上设置有用于喷洒抛光液的开口；

位于所述上盘和所述下盘之间的游星轮盘，所述游星轮盘上设置有用于容纳锗晶片的通孔。