[发明专利]用于伸展多核苷酸结构的系统在审
申请号: | 202210244411.X | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN115074426A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | K·加德拉布;M·科恩布鲁斯;J·克里斯滕森;C·约翰逊;B·科津斯基 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | C12Q1/6869 | 分类号: | C12Q1/6869;G01N27/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 章敏;李唐 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 伸展 多核苷酸 结构 系统 | ||
1.用于伸展多核苷酸结构的系统,所述系统包括:
第一电极,其被构造成垂直于所述第一电极的表面产生静电力并将所述静电力施加至所述多核苷酸结构,以将所述多核苷酸结构的末端区域钉在所述第一电极的表面附近;和
第二电极,其被构造成沿着所述多核苷酸结构的轴向产生电力,以将所述多核苷酸结构沿着所述多核苷酸结构的轴向伸展成充分延伸形式。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述多核苷酸结构是DNA结构、RNA结构或PNA结构。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一电极的表面带有正电荷。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述电力是电场。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一电极的宽度是100 nm。
6.用于伸展多核苷酸结构的系统,所述系统包括:
纳米通道,其具有入口、出口、第一末端区域和第二末端区域;
定位在所述纳米通道的第一末端区域附近的第一电极,所述第一电极带有正电荷;
定位在所述纳米通道的第二末端区域附近的第二电极,所述第二电极带有负电荷,所述第一电极和第二电极被构造成沿着所述纳米通道的轴向产生电力,以将所述多核苷酸结构导引进所述纳米通道中,从而沿着所述纳米通道的轴向伸展所述多核苷酸结构;和
第三电极,其定位在所述纳米通道的入口附近,且被构造成垂直于所述第三电极的表面产生静电力并将所述静电力施加至所述多核苷酸结构,以将所述多核苷酸结构的末端区域钉在所述第三电极的表面附近。
7.根据权利要求6所述的系统,其中所述多核苷酸结构是DNA结构、RNA结构或PNA结构。
8.根据权利要求6所述的系统,其中所述第三电极的表面带有正电荷。
9.根据权利要求6所述的系统,其中所述电力是电场。
10.根据权利要求6所述的系统,其中所述第三电极的宽度是100 nm。
11.根据权利要求6所述的系统,其中所述纳米通道的长度被构造成使得处于充分延伸形式的所述多核苷酸结构的一部分延伸超出所述纳米通道的出口。
12.根据权利要求6所述的系统,其中所述纳米通道的入口是锥形。
13.根据权利要求12所述的系统,其中所述入口具有小于45度的锥角。
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