[发明专利]一种工业硅炉外精炼提纯的方法在审
申请号: | 202210247401.1 | 申请日: | 2022-03-14 |
公开(公告)号: | CN114572988A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 杨波;司金强;王朋;刘学德 | 申请(专利权)人: | 城固县鑫弘矿业有限责任公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 西安佳士成专利代理事务所合伙企业(普通合伙) 61243 | 代理人: | 李丹 |
地址: | 723200 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工业 硅炉外 精炼 提纯 方法 | ||
1.一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:在释放硅熔体之间,先向抬包中持续通入精炼气体,再将矿热炉内的硅熔体释放到抬包中,同时对抬包内的硅水进行初次加热、保温;
步骤二:初次升温后,向抬包中加精炼剂,进行炉外吹气、造渣精炼;
步骤三:对抬包内剩余的硅水进行再次加热、保温;
步骤四:再次升温后,调整通入精炼气体的流量,再向抬包中加精炼剂,进行炉外吹气、造渣精炼;
步骤五:待炉外精炼完毕后,进行渣硅分离,再进行浇注,即得到高纯度的工业硅。
2.根据权利要求1所述的一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于:步骤一中,初次加热的方式为微波加热,控制温度为1400-1600℃。
3.根据权利要求1所述的一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于:步骤三中,再次加热的方式为等离子体加热,控制温度为1600-1700℃。
4.根据权利要求1所述的一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于:所述精炼气体为空气、氧气、富氧空气、H2O、H2、Ar、N2中的一种或任意配比的几种。
5.根据权利要求1所述的一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于:所述精炼剂为SiO2、CaO、Al2O3、MgO、NaO、CaF2、BaO、Li2O、LiF中的一种或任意配比的几种。
6.根据权利要求1所述的一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于:步骤一中,通入精炼气体的流量为1~10m/h。
7.根据权利要求1所述的一种工业硅炉外精炼提纯的方法,其特征在于:步骤四中,通入精炼气体的流量为10~30m/h。
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