[发明专利]三基色发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该三基色发光二极管芯片包括依次层叠的基板、外延结构和绝缘结构，所述外延结构包括依次层叠于所述基板上的第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述绝缘结构位于所述第三外延层远离所述基板的表面；所述绝缘结构的表面具有多个出光孔，所述多个出光孔包括露出所述第一外延层的第一出光孔、露出所述第二外延层的第二出光孔，露出所述第三外延层的第三出光孔。本公开能提升三基色发光二极管芯片在混色时的均匀性，改善混光效果。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种三基色发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

三基色发光二极管是通过三基色原理使发光二极管发出不同颜色的光的电子元件。三基色发光二极管具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。

相关技术中，三基色发光二极管通常包括外延结构、第一焊点块和第二焊点块，外延结构包括三个层叠在一起的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层，相邻的两个外延层之间通过键合层连接。

然而，该种将三个外延层叠置的布置方式，导致三种外延层发出的光在出射时需要穿过不同数量的外延层，因此不同颜色的光在混色时，存在均匀性较差的问题。

发明内容

本公开实施例提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，能提升三基色发光二极管芯片在混色时的均匀性，改善混光效果。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种三基色发光二极管芯片，所述三基色发光二极管芯片包括依次层叠的基板、外延结构和绝缘结构，所述外延结构包括依次层叠于所述基板上的第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述绝缘结构位于所述第三外延层远离所述基板的表面；所述绝缘结构的表面具有多个出光孔，所述多个出光孔包括露出所述第一外延层的第一出光孔、露出所述第二外延层的第二出光孔，露出所述第三外延层的第三出光孔。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述多个出光孔分布为多个孔组，所述多个孔组阵列分布，每个所述孔组均包括至少一个所述第一出光孔、至少一个所述第二出光孔和至少一个所述第三出光孔。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一外延层、所述第二外延层和所述第三外延层中的一个用于发红光，同一所述孔组中，露出用于发红光的外延层的出光孔的横截面积最大。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一出光孔、所述第二出光孔和所述第三出光孔的横截面的形状均不同。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一外延层靠近所述基板的表面具有第一键合层，所述基板靠近所述第一外延层的表面具有第二键合层；所述第一键合层和所述第二键合层均包括Sn层和间隔嵌设在所述Sn层内的Au块，所述第一键合层的Au块与所述第二键合层的Au块相对连接。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一外延层相对的两面具有第一电极和第二电极，所述第一电极靠近所述基板，所述第二外延层相对的两面具有第三电极和第四电极，所述第三电极靠近所述第一外延层，所述第三外延层相对的两面具有第五电极和第六电极，所述第五电极朝向所述第二外延层；所述第三外延层的表面具有露出所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极的第一凹槽，和露出所述第一电极的第二凹槽，以及露出所述第四电极的第三凹槽；所述第三外延层上还具有第一焊点块、第二焊点块、第三焊点块和第四焊点块，所述第一焊点块通过所述第一凹槽分别与所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极连接，所述第二焊点块通过所述第二凹槽与所述第一电极连接，所述第三焊点块通过所述第三凹槽与所述第四电极连接，所述第四焊点块与所述第六电极连接。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一外延层包括依次层叠于所述基板上的第一n型层、第一发光层和第一p型层；所述第二外延层包括依次层叠于所述第一p型层上的第二p型层、第二发光层和第二n型层；所述第三外延层包括依次层叠于所述第二n型层上的第三p型层、第三发光层和第三n型层。