[发明专利]一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源在审

专利信息
申请号: 202210248766.6 申请日: 2022-03-14
公开(公告)号: CN114531013A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 赵凤俭 申请(专利权)人: 飞锃半导体(上海)有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/14;H02M1/36;H03K17/687
代理公司: 北京市一法律师事务所 11654 代理人: 樊文娜;刘荣娟
地址: 201306 上海市浦东新区自*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic mosfet 驱动 电路 供电 电源
【权利要求书】:

1.一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,其特征在于,包括:

功率回路,被配置为输入直流电压并将所述直流电压变换为一路直流正压和一路直流负压输送至所述驱动电路,所述功率回路还连接输入侧地和输出侧地;

控制回路,与所述功率回路连接,被配置为采集所述直流正压和所述直流负压以及所述功率回路的电流并进行处理,且基于处理结果调整输出的脉冲宽度,以使所述直流正压和所述直流负压稳定输出;

供电回路,与所述控制回路和所述功率回路连接,被配置为向所述控制回路供电;

共模干扰耦合与疏导回路,包括第一隔离元件、第二隔离元件及第三隔离元件,所述第一隔离元件连接大地和所述输入侧地,所述第二隔离元件连接所述输入侧地和所述输出侧地,所述第三隔离元件连接所述大地和所述输出侧地。

2.根据权利要求1所述的为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,其特征在于,所述功率回路包括:

正极端和负极端,其中所述正极端用于输入所述直流电压;

功率变压器,与所述正极端直接或间接的电连接,用于将所述直流电压变换为正压脉冲和负压脉冲;

正压整流续流器,与所述功率变压器电连接,用于接收所述正压脉冲并将所述正压脉冲变成直流电压,所述正压整流续流器还与所述供电回路连接;

正压滤波器,与所述正压整流续流器电连接,用于接收所述直流正压并进行滤波,且将滤波后的直流正压输送至所述驱动电路,所述正压滤波器还连接输出侧地;

负压整流续流器,与所述功率变压器电连接,用于接收所述负压脉冲并将所述负压脉冲变成直流负压;

负压滤波器,与所述负压整流续流器电连接,用于接收所述直流负压并进行滤波,将滤波后的直流负压输送至所述驱动电路,所述负压滤波器还连接输出侧地;

功率开关管,与所述功率变压器和所述控制回路电连接;

电流采样单元,与所述功率开关管、所述控制回路及所述输入侧地电连接,用于采集所述功率回路的电流信号。

3.根据权利要求2所述的为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,其特征在于,所述功率变压器包括原边和副边,且所述副边包括:

正压绕组,与所述正压整流续流器及所述正压滤波器依次电连接,且与所述正压绕组的非同名端对应的所述正压滤波器的输出端连接所述输出侧地;

负压绕组,和所述正压绕组同向绕制,且与所述负压整流续流器及所述负压滤波器依次电连接,其中与所述负压绕组的同名端对应的所述负压滤波器的输出端连接所述输出侧地。

4.根据权利要求3所述的为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,其特征在于,所述功率回路为正激电路拓扑电源的功率回路,且所述功率回路的正压整流续流器包括:

第一二极管,所述第一二极管的正极电连接所述正压绕组的一端;

第二二极管,所述第二二极管的正极电连接所述输出地侧;

第三电感,包括通过电气隔离的第三电感滤波绕组和反馈自供电绕组,其中所述第三电感滤波绕组一端与所述第一二极管的负极、所述第二二极管的负极电连接,且另一端与所述驱动电路、所述控制回路电连接,所述反馈自供电绕组一端与所述供电回路通过第五二极管电连接,且另一端电连接至输入侧地。

5.根据权利要求4所述的为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,其特征在于,所述正压滤波器包括:

第三电容,一端电连接所述驱动电路和所述控制回路,另一端电连接至所述输出侧地;

第一电阻,一端电连接所述驱动电路和所述控制回路,另一端电连接至所述输出侧地。

6.根据权利要求4所述的为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,其特征在于,所述负压整流续流器包括:

第三二极管,所述第三二极管的正极电连接所述负压绕组的一端;

第四二极管,所述第四二极管的正极电连接所述控制回路和所述驱动电路;

第四电感,包括第四电感滤波绕组,且所述第四电感滤波绕组的一端与所述第三二极管的负极、所述第四二极管的负极电连接,且另一端电连接至所述输出侧地。

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