[发明专利]微型发光二极管及其制作方法

说明书

公开了一种微型发光二极管、显示装置及其制作方法，其至少在一个电极上设置连接区用于金属联线，达到Micro‑LED全测目的。微型发光二极管芯片（100）包括：外延叠层（110），依次包含第一类型半导体层（112）、有源层（113）、第二类型半导体层（114），其具有相对的第一表面和第二表面；第一电极（121），形成于外延叠层（110）的第二表面之上，与第一类型半导体层（112）连接；第二电极（122），形成于外延叠层（110）的第二表面之上，与第二类型半导体层（114）连接；第一电极（121）和第二电极（122）表面上分别设有第一连接区（123）。第一连接区（123）可从表面形貌或外观颜色上区别于所在电极的其他区域。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种微型发光二极管器件及其制作方法。

背景技术

微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。微型器件的一些实例包括微机电系统(MEMS) 微动开关、发光二极管显示系统和基于MEMS或者石英的振荡器。目前，微发光二极管(Micro LED)显示具有高亮度、低功耗、超高分辨率与色彩饱和度等优点，吸引不少业者投入研发。

目前Micro LED 因其较小之芯片尺寸，导致芯片全测存在较大的瓶颈：一方面由于电极尺寸极小，无法准确将测试针扎在电极上完成光电参数的测试；另一方面低电流测试，其相对较低的亮度导致单颗芯片耗时较久且误差较大。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种微型发光二极管，其至少在一个电极上设置连接区用于金属联线，达到Micro-LED 全测目的。

本发明的第一个技术方案为：微型发光二极管芯片，包括：外延叠层，依次包含第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，其具有相对的第一表面和第二表面；第一电极，形成于所述外延叠层的第二表面之上，与所述第一类型半导体层连接；第二电极，形成于所述外延叠层的第二表面之上，与所述第二类型半导体层连接；所述第一电极和第二电极表面上分别设有第一连接区。

本发明的第二个技术方案为：微型发光二极管芯片，包括：外延叠层，依次包含、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，其具有相对的第一表面和第二表面；第一电极，形成于所述外延叠层的第一表面之上，与所述第一类型半导体层连接；第二电极，形成于所述外延叠层的第二表面之上，与所述第二类型半导体层连接；所述第一电极表面上设有第一连接区。

优选地，所述第一连接区从表面形貌或外观颜色上区别于所在电极的其他区域。

优选地，所述第一连接区用于制作金属连线，以将第一电极和/或第二电极引至芯片以外区域形成测试电极。

优选地，所述第一连接区的面积占所在电极的总面积的5%以上。

优选地，所述第一连接区的形状为多边形、圆形或者半圆形。

优选地，所述微型发光二极管芯片的厚度为20μm以内。

优选地，所述微型发光二极管芯片的尺寸为100μm×100μm以内。

优选地，所述第一电极与第二电极的总面积不小于所述芯片面积的40%。

优选地，在第一电极或/和第二电极上设置第二连接区，用于接触支撑柱，使所述芯片第二表面呈部分悬空，处于待拾取状态。

优选地，所述第二连接区的面积占所在电极的总面积的5%以下。

本发明同时提供微型发光二极管阵列，其包括前述任意一种微型发光二极管芯片。

前述任意一种微型发光二极管芯片可应用于显示装置。

本发明的第三个技术方案为：微型发光二极管的制作方法，包括步骤：