[发明专利]用于HTCC的多层钨金属化氧化铝异形件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210249696.6 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114804837A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郑亮;张迪;刘念强;李天赐;吴刚;秦智晗;马涛;丁小聪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/88 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 张梦媚 |
| 地址： | 230088 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 htcc 多层 金属化 氧化铝 异形 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于HTCC的多层钨金属化氧化铝异形件的制备方法，其特征在于，包括以下工序：
生瓷成型：将氧化铝生瓷片按预先设计制成所需的生瓷；
共烧：将所述生瓷进行高温共烧，从室温以0.75-2.75℃/min升至500-600℃，保温2-4h，此工作段全程通入氮气；再以1-3℃/min升温至1500-1650℃，保温1.5-3h后随炉自然冷却，此工作段全程通入氮气与带水蒸气的湿氢的混合气体。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述生瓷成型的工艺，包括以下步骤：
打空腔：将氧化铝生瓷片按照预先设置的程序打出相应的空腔；
印刷：将钨浆在打完空腔的生瓷片上印刷出相应的图形；
等静压：将印刷后的生瓷片按照设计顺序层叠后，进行叠压；
生切：将等静压后的生瓷进行生切。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述等静压的工艺条件为温度50-70℃，压力1500-3500psi。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合气体中，氮气与湿氢的体积比在1:1-1:4之间。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述湿氢采用的湿氢罐内纯水的温度在20℃-50℃之间。
6.一种用于HTCC的多层钨金属化氧化铝异形件，其特征在于，其采用如权利要求1-5任一项所述的制备方法制得。
7.如权利要求6所述的用于HTCC的多层钨金属化氧化铝异形件，其特征在于，所述多层钨金属化氧化铝异形件的碳残留量＜450ppm。
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