[发明专利]在存储器子系统中高速缓存逻辑到物理映射信息在审

专利信息
申请号: 202210251626.4 申请日: 2022-03-15
公开(公告)号: CN115080458A 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: S·苏巴劳 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/0873 分类号: G06F12/0873;G06F12/1009;G06F12/1081
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 子系统 高速缓存 逻辑 物理 映射 信息
【说明书】:

接收指定与针对存储器装置的第一部分的主机起始的操作相关联的逻辑地址的请求。存取逻辑到物理L2P表。所述L2P表包括所述存储器装置的第二部分中的逻辑地址与物理地址之间的映射。标识所述L2P表中与所述逻辑地址相对应的条目,并且确定所述条目指向读取高速缓存表中的条目。基于所述读取高速缓存表中的所述条目的条目编号,计算来自读取高速缓存器的多个区块当中的区块的区块地址。通过存取所述读取高速缓存器的所述区块来标识与所述请求指定的所述逻辑地址相对应的物理地址。在所述存储器装置的所述第一部分内对应于所述物理地址的物理位置处执行主机起始的操作。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,并且更具体地说,涉及高速缓存存储器子系统的逻辑到物理(L2P)映射信息。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器组件可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说,主机系统可使用存储器子系统以在存储器装置处存储数据并且从存储器装置检索数据。

发明内容

附图说明

根据下文给出的具体实施方式并且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。

图1是示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境的框图。

图2A和2B是示出根据本公开的一些实施例的用于存储器子系统的实例架构的框图。

图3是示出根据本公开的一些实施例的由存储器子系统实施的实例高速缓存算法的框图。

图4-6是示出根据本公开的一些实施例的用于使用存储在NAND存储器装置的专用部分中的逻辑到物理(L2P)表的实例方法的流程图。

图7是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的各方面涉及用于存储器子系统中的逻辑到物理(L2P)映射信息的高速缓存技术。存储器子系统可为存储装置、存储器模块,或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。通常,主机系统可使用包含例如存储数据的存储器装置之类的一或多个组件的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据并且可请求将从存储器子系统检索的数据。

数据操作可以由存储器子系统执行。数据操作可为主机起始的操作。例如,主机系统可以在存储器子系统上发起数据操作(例如,写入、读取、擦除等)。主机系统可将存取请求(例如,写入命令、读取命令)发送到存储器子系统,以便将数据存储在存储器子系统处的存储器装置上,并且从存储器子系统上的存储器装置读取数据。

存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的一个实例为与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。例如NAND存储器装置等一些存储器装置包含用以存储数据的存储器单元阵列(例如,快闪单元)。每个单元包含晶体管,并且在每个单元内,数据被存储为晶体管的阈值电压。更具体地说,晶体管的阈值电压的范围可被划分成多个区,其中每个区对应于解码成数据值的电荷电平。这些装置中的存储器单元可被分组为可指代用以存储数据的存储器装置的逻辑单元的页。一个类型的存储器单元,例如单层级单元(SLC),可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元,例如,多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)、四层级单元(QLC)和五层级单元(PLC)可以每单元存储多个位。存储器装置可包含SLC、MLC、TLC、QLC或其任何组合的一或多个阵列。

在存储器子系统的上下文内,物理地址标识存储器装置中的数据的物理位置。逻辑地址是主机系统用作存取对应于存储器装置中的物理位置的数据单位的参考的虚拟地址。数据单位可对应于块、页或子页。存储器子系统维持逻辑到物理(L2P)表(还被称作“数据映射”)以处理从主机系统接收到的存取请求。L2P表包含物理地址与逻辑地址之间的映射。传统上,L2P表存储于存储器子系统的动态随机存取存储器(DRAM)组件中。

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