[发明专利]基于Fan-out的Mirco-LED显示屏及其制造工艺

权利要求书

1.一种基于Fan-out的Mirco-LED显示屏，其特征在于，包括：

基板(200)；

包含多个LED芯片的LED芯片阵列(100)和包含多个TFT的TFT阵列(300)，分别通过所述基板(200)上下两侧的焊点键合在所述基板(200)的上下两侧；

所述基板(200)的上侧和/或下侧布置有至少一根金属走线(10)，所述基板(200)上开设有供所述金属走线(10)上下穿设的过孔(9)，所述金属走线(10)的一端连接所述基板(200)上侧的焊点，且另一端水平地往外侧延伸到超出所述LED芯片阵列(100)的边缘并连接所述基板(200)下侧的焊点，从而实现所述LED芯片阵列(100)和所述TFT阵列(300)之间的电导通。

2.根据权利要求1所述的Mirco-LED显示屏，其特征在于：

所述LED芯片包括衬底(1)和设置在所述衬底(1)上的功能层，所述功能层上设置有与所述基板(200)电连接的阳极焊盘(5)和共阴极焊盘(6)；

所述基板(200)的上侧设置有上侧焊盘(7)和阴极焊盘(8)，所述上侧焊盘(7)与所述阳极焊盘(5)电连接，所述阴极焊盘(8)与所述共阴极焊盘(6)电连接且同时接地；

所述基板(200)的下侧设置有与所述TFT电连接的下侧焊盘(11)，且所述金属走线(10)的两端分别连接所述上侧焊盘(7)和所述下侧焊盘(11)；

所述TFT包括背板(13)和布置在所述背板(13)上的内层电路(14)，所述背板(13)的表层设置有与所述内层电路(14)电连接的表层焊盘(15)，所述表层焊盘(15)与所述下侧焊盘(11)电连接。

3.根据权利要求2所述的基于Mirco-LED显示屏，其特征在于，所述基板(200)上还设置有用于铺设所述金属走线(10)的第一绝缘层(12)。

4.根据权利要求3所述的Mirco-LED显示屏，其特征在于，所述金属走线(10)布置在所述基板(200)的下侧，所述第一绝缘层(12)覆盖所述金属走线(10)，且所述第一绝缘层(12)与所述下侧焊盘(11)的连接处开设有供所述金属走线(10)穿过的连接孔(18)。

5.根据权利要求3所述的Mirco-LED显示屏，其特征在于，所述金属走线(10)布置在所述基板(200)的上侧，所述第一绝缘层(12)分别独立覆盖所述阴极焊盘(8)和所述金属走线(10)，且所述第一绝缘层(12)在所述阴极焊盘(8)与所述共阴极焊盘(6)的连接处开孔设置。

6.根据权利要求2所述的Mirco-LED显示屏，其特征在于，所述阴极焊盘(8)与所述基板(200)之间设置有第二绝缘层(12')。

7.根据权利要求1所述的Mirco-LED显示屏，其特征在于，所述基板(200)上还设置有电路元件区域(17)，配置用于布置电路元件和布线。

8.根据权利要求2所述的Mirco-LED显示屏，其特征在于，所述功能层由上到下依次包括N型氮化镓层(2)、多量子阱层(3)和P型氮化镓层(4)，所述共阴极焊盘(6)设置在所述N型氮化镓层(2)上，所述阳极焊盘(5)设置在所述P型氮化镓层(4)上。

9.根据权利要求2所述的Mirco-LED显示屏，其特征在于，所述阳极焊盘(5)与所述上侧焊盘(7)、所述共阴极焊盘(6)与所述阴极焊盘(8)、所述下侧焊盘(11)和所述表层焊盘(15)之间均通过焊球(16)电连接。

10.一种根据权利要求1-9中任意一项所述的Mirco-LED显示屏的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在LED芯片的衬底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，并在所述N型氮化镓层和所述P型氮化镓层上分别镀上共阴极焊盘和阳极焊盘；

S2、在基板的上侧分别镀上上侧焊盘和阴极焊盘，在所述基板的下侧超出所述LED芯片的位置上镀上下侧焊盘，同时在所述基板上开设过孔，利用金属走线穿过所述过孔将所述上侧焊盘与所述下侧焊盘电连接，并在所述基板上设置覆盖所述金属走线的第一绝缘层；

S3、在TFT的背板上布置内层电路，所述内层电路连接外部驱动信号，并在所述背板的表层对应连接每个所述驱动信号的单元上设置表层焊盘；

S4、通过焊球将所述LED芯片上的所述阳极焊盘和所述共阴极焊盘分别与所述基板的所述上侧焊盘和阴极焊盘对应倒装焊接，通过所述焊球将所述基板上的所述下侧焊盘与所述TFT的表层焊盘正装焊接。