[发明专利]蚀刻剂的组合物、使用其之半导体装置的形成方法、以及半导体装置

权利要求书

1.一种蚀刻剂的组合物，包括：

0.1～13wt％的四级铵盐；以及

45～90wt％的极性非质子溶剂。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂的组合物，其中所述蚀刻剂的组合物包括2～3wt％的所述四级铵盐。

3.如权利要求1所述的蚀刻剂的组合物，其中所述极性非质子溶剂为环丁砜、二甲基亚砜或其组合。

4.如权利要求1所述的蚀刻剂的组合物，其中该蚀刻剂的组合物包括70～75wt％的该极性非质子溶剂。

5.如权利要求1所述的蚀刻剂的组合物，其进一步包括1～30wt％的极性质子溶剂。

6.如权利要求1所述的蚀刻剂的组合物，其进一步包括5～11wt％的极性质子溶剂。

7.如权利要求5或6所述的蚀刻剂的组合物，其中所述极性质子溶剂与所述极性非质子溶剂的总和占所述蚀刻剂的组合物的78～85wt％。

8.如权利要求5或6所述的蚀刻剂的组合物，其中所述极性质子溶剂为C₂-C₁₀烷基醇溶剂。

9.如权利要求5或6所述的蚀刻剂的组合物，其中所述极性质子溶剂包括乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、甘油、1,4-丁二醇、季戊四醇、1,6-己二醇、双季戊四醇或其组合。

10.一种半导体装置的形成方法，其包括：

形成一绝缘层于一基板上方；

形成一虚设闸极于所述绝缘层上方；

形成一间隔物于所述虚设闸极以及所述绝缘层的两侧边上；

移除所述虚设闸极以形成一沟槽；以及

形成一金属闸极于所述沟槽中，

其中所述虚设闸极移除步骤包括使用如权利要求1至9中任一项所述的蚀刻剂的组合物。

11.如权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其进一步包括形成一高介电常数介电层于所述金属闸极电极与所述间隔物之间。

12.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其进一步包括在形成所述高介电常数介电层之前移除所述绝缘层。

13.一种半导体装置，其包括一多晶硅组件，该多晶硅组件具有一经蚀刻表面，其中该经蚀刻表面系经由一湿蚀刻制程形成且具有小于等于20nm的一表面算数平均高度，其中该湿蚀刻制程包括使用如权利要求1至9中任一项所述的蚀刻剂的组合物。