[发明专利]陶瓷电子部件、基板装置和制造陶瓷电子部件的方法

说明书

本公开提供陶瓷电子部件、基板装置和制造陶瓷电子部件的方法。陶瓷电子部件包括元件主体、两个外部电极和氧化物层。元件主体包括电介质和内部电极。外部电极被分别形成以至少部分地覆盖元件主体的两个端面。各个外部电极包括基层和镀层。基层具有形成在元件主体的底面上的下部和形成在元件主体的相应一个端面上的端部。镀层至少形成在相应基层的下部。氧化物层形成在元件主体的顶面的预定区域上。在元件主体的顶面的与元件主体的端面隔开的区域中，氧化物层具有较薄的部分。

技术领域

本发明涉及陶瓷电子部件、基板装置和制造陶瓷电子部件的方法。

背景技术

随着电子器件变得更小和更复杂，安装在安装板(基板)上的电子部件的安装密度增加。为了减小安装在安装有IC(集成电路)芯片等的普通安装表面上的电子元件，减小了多层陶瓷电容器的高度，并将多层陶瓷电容器安装在与基板的普通安装表面相反的表面上。该电容器可以被称为LSC(地面侧电容器)。

JP2020-21930公开了一种多层陶瓷电子部件，其中，上端子电极形成在多层陶瓷电子部件的元件主体的上表面的特定区域上，并且上端子电极延伸到边缘电极部分。端子电极不形成在元件主体的下表面上。

发明内容

如果使用JP-A-2020-21930中公开的构造并且使用焊料将多层陶瓷电子部件安装在安装基板上，则湿焊料通过边缘电极部分移动到元件主体上。因此，当多层陶瓷电子部件安装在基板上时，焊料可能成为妨碍多层陶瓷电子部件正确安装的障碍。

此外，如果为了降低多层陶瓷电容器的高度而使元件主体薄，则多层陶瓷电容器的破裂强度(弯折强度)下降，并且在将多层陶瓷电容器安装在基板上的处理中，多层陶瓷电容器经常破裂。

本发明的目的是提供一种陶瓷电子部件，其能够降低陶瓷电子部件的高度，同时抑制弯折强度的降低并且防止焊料润湿到元件主体上。本发明的另一目的是提供一种制造这种陶瓷电子部件的方法。本发明的再一个目的是提供一种包括衬底和安装在衬底上的陶瓷电子部件的器件。

本发明的另外的或单独的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点将通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如实施和广泛描述的，在一个方面，本公开提供了一种陶瓷电子部件，所述陶瓷电子部件包括元件主体、外部电极对和氧化物层。所述元件主体包括电介质和内部电极。所述元件主体具有顶面、底面和端面对。两个外部电极被分别形成以至少部分地覆盖所述元件主体的所述端面。各个所述外部电极包括基层和镀层。所述基层包含金属。所述基层具有下部和端部，所述下部形成在所述元件主体的所述底面上，所述端部形成在所述元件主体的所述端面中的相应一个端面上并且连接到所述内部电极中的在所述相应端面处露出的一个或更多个内部电极。所述镀层至少形成在相应基层的所述下部上。所述氧化物层形成在所述元件主体的所述顶面的预定区域上。在所述元件主体的所述顶面上的与所述元件主体的所述端面隔开的区域中，所述氧化物层具有较薄部分。

在各个所述外部电极中，所述镀层可以连续地覆盖所述基层的所述下部以及所述端部。所述氧化物层可以连续地覆盖所述元件主体的所述顶面和所述基层的分别位于所述元件主体的所述端面上的相应端部的至少一部分。

所述氧化物层的较薄部分可以是在所述元件主体的所述顶面上的所述氧化物层的中心区域中形成的凹陷部分。

所述凹陷部分可以具有弓形形状。

所述凹陷部分可以位于与所述外部电极隔开的位置。

与所述氧化物层的较靠近所述元件主体的端面的部分相比，所述氧化物层的较薄部分可以薄5％以上。

所述氧化物层可以在所述元件主体的相应端面上与所述镀层相遇。