[发明专利]一种亚10nm间隙电极对的制备方法

权利要求书

1.一种亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，根据电极对尖端角度设计掩模图形；

步骤2，在衬底上旋涂电子束胶，利用电子束光刻形成掩模图形，再在表面沉积金属；

步骤3，将沉积金属后的电极对放置在扫描电子显微镜样品台上，调节样品台使电极对图形处于屏幕中央，使电子束聚焦在电极对尖端位置，通过电子束辐照热效应调节电极对之间的间距，形成亚10nm间隙电极对结构。

2.根据权利要求1所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，所述根据电极对尖端角度设计掩模图形，具体方法为：

当电极对尖端角度大于60°时，设计掩模图形为不交叠电极对；

当电极对尖端角度等于60°时，设计掩模图形为零间距电极对；

当电极对尖端角度小于60°时，设计掩模图形为交叠电极对。

3.根据权利要求1所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，所述衬底为二氧化硅，硅或长有铌基化合物的热氧化硅。

4.根据权利要求1所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，所述电子束胶为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯共聚物。

5.根据权利要求1或4所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，所述电子束胶为PMMA A2,A4或ZEP520。

6.根据权利要求1所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，通过电子束蒸发沉积金属。

7.根据权利要求1所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，所述电极对放置在扫描电子束的焦区位置。

8.根据权利要求1所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，电子束辐照加速电压为1-10kV；探测模式为InLens二次电子探测模式，放大倍数为80000-150000。

9.根据权利要求1所述的亚10nm间隙电极对的制备方法，其特征在于，通过调整电子束辐照时间调整电极对尖端间距，其中电极对尖端间距随电子束辐照时间增长而减小，减小速率约为0.02-0.045nm/s。

10.一种亚10nm间隙电极对，其特征在于，基于权利要求1-9任一项所述的制备方法，加工亚10nm间隙电极对结构。