[发明专利]一种高纯硅钨粉的制备方法在审
| 申请号： | 202210256005.5 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114535579A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张龙辉;徐国钻;周俊安;羊求民;王韶毅;刘莉;林丽萍;黄春燕;黄月玲 | 申请（专利权）人： | 崇义章源钨业股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/10 | 分类号： | B22F3/10;B22F9/04 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 张腾 |
| 地址： | 341300*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 硅钨粉 制备 方法 | ||
1.一种高纯硅钨粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将高纯钨粉与高纯硅粉在三维混料器中混合均匀，其中，混合介质为高纯硅球；
(2)将混合好的粉末置于高温烧结炉中进行烧结，先通入高纯氢气与高纯甲烷的混合气体进行第一烧结过程，其中混合气体的流量体积比为H2:CH4为1000:1～500:1，然后关闭甲烷，通入高纯氢气继续进行第二烧结过程；
(3)对烧结后的硅钨粉进行气破处理，制备得到高纯硅钨粉。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所得混合料中Si质量百分含量为25％-32％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中混合时间为1～3h。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中加入的高纯硅球混合介质的球料质量比为1:1～1:3。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中第一烧结过程的烧结温度为1200℃～1400℃，烧结时间为1～2h。
6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中第二烧结过程的烧结温度为1200℃～1400℃，烧结的时间为1～3h。
7.一种高纯硅钨粉，其特征在于，所述高纯硅钨粉采用权利要求1-6中任一项所述的方法制备得到。
8.一种高纯度钨硅靶材，其特征在于，所述高纯度钨硅靶材采用权利要求7所述的高纯硅钨粉制备得到。
9.一种高纯度钨硅靶材在电子栅门材料或者电子薄膜领域的应用，其特征在于，所述高纯度钨硅靶材采用权利要求7所述的高纯硅钨粉制备得到。
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