[发明专利]一种自偏压光电探测器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210256024.8 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114695580A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 潘锋;梁军;林海 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李小焦;彭家恩 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 偏压 光电 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种自偏压光电探测器，其特征在于：包括基板和固定在基板上的光电结构，所述光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；
所述光敏半导体层为硫化镉形成的n型半导体材料层；
所述阻挡半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层。
2.根据权利要求1所述的自偏压光电探测器，其特征在于：所述金属掺杂二氧化钛的掺杂元素为铌和/或钽；
优选的，所述铌的掺杂量为阻挡半导体层总重量的0.1-20％，所述钽的掺杂量为阻挡半导体层总重量的0.1-20％；
优选的，所述铌的掺杂量为阻挡半导体层总重量的1.5-7％，所述钽的掺杂量为阻挡半导体层总重量的1.5-7％。
3.根据权利要求1所述的自偏压光电探测器，其特征在于：所述阻挡半导体层的厚度为5-500nm。
4.根据权利要求1所述的自偏压光电探测器，其特征在于：所述光敏半导体层的厚度为5-500nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的自偏压光电探测器，其特征在于：所述基板为玻璃、导电玻璃、柔性衬底、石英片或蓝宝石。
6.根据权利要求1-4任一项所述的自偏压光电探测器，其特征在于：所述对电极薄膜层为氧化铟锡、氧化锌铝和氟掺杂氧化锡、纳米银线和碳浆中的至少一种形成的导电薄膜。
7.根据权利要求1-6任一项所述的自偏压光电探测器在光电探测芯片中的应用。
8.一种采用权利要求1-6任一项所述的自偏压光电探测器的光电探测芯片。
9.根据权利要求1-6任一项所述的自偏压光电探测器的制备方法，其特征在于：包括在基板上磁控溅射沉积光敏半导体层和阻挡半导体层，沉积完成后进行退火处理，再制备对电极薄膜层，即获得所述自偏压光电探测器。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的压力为0.2～5Pa，功率为5～200W；
优选的，所述退火处理的条件为，在空气、真空或惰性环境下200-450℃保温10-60分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
