[发明专利]一种高纯锑化镉的制备方法和应用

权利要求书

1.一种高纯锑化镉的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）将锑源和镉源置于反应容器中;所述锑源和镉源的摩尔比为：1：（1.1~1.2）；

（2）将步骤（1）的反应容器置于惰性气氛中进行程序烧结处理后，随炉降温即可得到高纯锑化镉；

所述步骤（1）中，镉源置于锑源上方；

步骤（2）中，所述程序烧结依次包括第一保温阶段、第二保温阶段和第三保温阶段；所述第一保温阶段的温度为350-420℃，升温速率为5-10℃/min，保温时间为0.5-1h；所述第二保温阶段的温度为500-600℃，升温速率为5-10℃/min，保温时间为1-3h；所述第三保温阶段的温度为650-700℃，升温速率为5-10℃/min，保温时间为3-5h。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述锑源为锑单质，镉源为镉单质；所述锑源和镉源的纯度大于4N。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述惰性气氛中惰性气体包括氩气、氦气、氖气中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述惰性气氛中惰性气体的流量为3～10L/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锑化镉中镉的含量为47.9%~48.2%，游离镉含量小于100ppm。

6.如权利要求1-5任一项所述方法制备得到的高纯锑化镉在光电池器件、光探测器件、发光器件制作中的应用。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述光电池器件、光探测器件、发光器件包括太阳能电池、红外调制器、红外窗场致发光器件、红外探测器、X射线探测器、核放射性探测器和接近可见光区的发光器。