[发明专利]一种串联半桥栅极驱动模块

权利要求书

1.一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，包括栅极驱动单元；所述栅极驱动单元设有一用于同时驱动N个半桥结构中的场效应管Qn1的第一驱动端和用于同时驱动N个半桥结构中的场效应管Qn2的第二驱动端；

所述场效应管Qn2的栅极通过电容Cn2与栅极驱动单元的第二驱动端连接，所述电容Cn2与场效应管Qn2的等效栅源电容构成第一串联电容结构，以使所述第二驱动端输出驱动信号时，所述电容Cn2以及场效应管Qn2的等效栅源电容均获得分压，且在所述电容Cn2与场效应管Qn2栅极连接的一端获得能使场效应管Qn2导通的电荷量后，所述场效应管Qn2导通；

所述场效应管Qn1的栅极通过电容Cn1与栅极驱动单元的第一驱动端连接，所述电容Cn1与场效应管Qn1的等效栅源电容构成第二串联电容结构，以使所述第一驱动端输出驱动信号时，所述电容Cn1以及场效应管Qn1的等效栅源电容均获得分压，且在所述电容Cn1与场效应管Qn1栅极连接的一端获得能使场效应管Qn1导通的电荷量后，所述场效应管Qn1导通；

其中，N为1以上的自然数，n为1-N中任一自然数。

2.根据权利要求1所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述电容Cn2的电容值大于场效应管Qn2等效栅源电容的电容值；所述电容Cn1的电容值大于场效应管Qn1等效栅源电容的电容值。

3.根据权利要求1所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述电容Cn1和电容Cn2可为薄膜电容或多层陶瓷电容。

4.根据权利要求1所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述场效应管Qn1的栅极和源极之间连接有二极管Dn1；所述场效应管Qn2的栅极和源极之间连接有二极管Dn2。

5.根据权利要求4所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述二极管Dn1和二极管Dn2可为瞬态抑制二极管、静电保护二极管或稳压二极管。

6.根据权利要求1所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述场效应管Qn1的栅极和源极之间连接有电荷均衡电阻Rn1；所述场效应管Qn2的栅极和源极之间连接有电荷均衡电阻Rn2。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述栅极驱动单元的第一驱动端与其接地端之间连接有并联连接的电阻R1和二极管D1；所述栅极驱动单元的第二驱动端与其接地端之间连接有并联连接的电阻R2和二极管D2。

8.根据权利要求7所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述二极管D1和二极管D2可为瞬态抑制二极管、静电保护二极管或稳压二极管。

9.根据权利要求1-6任一项所述的一种串联半桥栅极驱动模块，其特征在于，所述栅极驱动单元的第一驱动端连接有电阻R1和场效应管Q1，且所述场效应管Q1的漏极与第一驱动端连接，所述场效应管Q1的源极与栅极驱动单元的接地端连接，所述场效应管Q1的栅极与电阻R1的另一端连接，作为箝位使能端；

所述栅极驱动单元的第一驱动端连接有电阻R2和场效应管Q2，且所述场效应管Q2的漏极与第一驱动端连接，所述场效应管Q2的源极与栅极驱动单元的接地端连接，所述场效应管Q2的栅极与电阻R2的另一端连接，作为箝位使能端。