[发明专利]一种GaS薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种GaS薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

采用化学气相沉积法，Ga₂S₃蒸气经过氢气还原后，在物理限域结构中的衬底上吸附、成核、晶核成长，制得所述GaS薄膜；所述物理限域结构包括两片上下平行设置的衬底；所述两片衬底之间的间距为0.01-0.3cm。

2.根据权利要求1所述的GaS薄膜的制备方法，其特征在于：所述物理限域结构还包括石英管和两根矩形棒；所述石英管内上下平行设置两片衬底，两片衬底之间平行设置两根矩形棒。

3.根据权利要求1所述的GaS薄膜的制备方法，其特征在于：所述Ga₂S₃蒸气是由加热炉内的Ga₂S₃粉末升华而制得；Ga₂S₃粉末距物理限域结构中的衬底的距离为12～18cm。

4.根据权利要求3所述的GaS薄膜的制备方法，其特征在于：所述物理限域结构位于加热炉内，且物理限域结构距加热炉内壁之间的距离为4～6cm。

5.根据权利要求1所述的GaS薄膜的制备方法，其特征在于：所述化学气相沉积法中，温度为890-970℃，压力为800-5000Pa。

6.根据权利要求1所述的GaS薄膜的制备方法，其特征在于：所述化学气相沉积法中，所使用的载气体为Ar，Ar的流量为12-40sccm；所述氢气的流量为15-75sccm。

7.根据权利要求1所述的GaS薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底为Al₂O₃、Si、SiO₂/Si、GaN、InGaN中的至少一种。

8.一种GaS薄膜，其特征在于：采用权利要求1～7任一项所述的方法制得。

9.权利要求8所述的GaS薄膜在光电子领域或微电子领域中的应用。