[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，其特征在于，所述栅极区为高介电常数电介质金属栅极，所述浅槽隔离区为低介电常数电介质浅槽隔离。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述低介电常数电介质浅槽隔离的介电常数为2.5~3。

3.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述高介电常数电介质金属栅极包括金属栅极和高介电常数电介质层，

其中，所述金属栅极通过所述高介电常数电介质层与所述P型体区和所述N型漂移区的上方连接。

4.根据权利要求3所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述高介电常数电介质层的介电常数为25~30。

5.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括N型埋层和P型外延层，

其中，所述N型埋层位于所述N型阱区的下方，所述P型外延层位于所述P型阱区的下方。

6.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型阱区包括第一P型阱区和第二P型阱区，所述第一P型阱区和所述第二P型阱区分别位于所述N型阱区的两侧并与所述N型阱区连接。

7.根据权利要求6所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型体区和所述N型漂移区位于所述N型阱区的上方。

8.根据权利要求7所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述N型漂移区包括第一N型漂移区和第二N型漂移区，所述第一N型漂移区和所述第二N型漂移区分别位于所述P型体区的两侧。

9.根据权利要求8所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述漏极区位于所述N型漂移区上方，所述源极区位于所述P型体区上方。

10.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法包括：

在半导体衬底的选定区域中形成N型阱区和P型阱区；

形成低介电常数电介质浅槽隔离区；

在所述半导体衬底的选定区域中形成P型体区和N型漂移区；

在所述P型体区和所述N型漂移区的上方形成高介电常数电介质金属栅极区，在所述N型漂移区上方形成漏极区，在所述P型体区上方形成源极区。

11.根据权利要求10所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述在所述P型体区和所述N型漂移区的上方形成高介电常数电介质金属栅极区包括：

在所述P型体区和所述N型漂移区的上方通过原子沉积形成高介电常数电介质层；

在所述高介电常数电介质层上方通过物理气相沉积形成金属栅极。

12.根据权利要求10所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，在所述在半导体衬底的选定区域中形成N型阱区和P型阱区之前，所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法还包括：

在所述半导体衬底上形成N型埋层和P型外延层，

所述N型埋层位于所述N型阱区的下方，所述P型外延层位于所述P型阱区的下方。