[发明专利]一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法

权利要求书

1.一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将氟化锂与盐酸搅拌溶解，放恒温磁性搅拌器上搅拌，添加MAX材料，选择性刻蚀掉Al原子，经过离心，洗涤后在滤膜上过滤，获得多层MXene；

步骤二：将滤膜上的沉淀再次放入离心管中，填充氮气以去除氧气，经过超声，离心后取上清液，干燥，制备成单层MXene材料；

步骤三：将单层MXenes材料置于水热釜中，并放入烘箱加热，得到单少层TiO2-MXene；

步骤四：将TiO2-MXene稀释成低浓度溶液，将其抽滤到PVDF膜表面，形成表面修饰有MXenes的超滤膜材料。

2.如权利要求1所述的一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤一中氟化锂与盐酸的质量体积比为2g-3.2g：40mL，所述的步骤二中去离子水加入量为45ml-100ml。

3.如权利要求1所述的一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤一的盐酸的物质的量浓度为9mol/L，所述的步骤四中溶液为50、100、150、200mL，0.02mg/L的TiO2-MXene。

4.如权利要求1所述的一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤一中所述的MAX材料为Ti3AlC2，质量为2g，所述的步骤一中的恒温磁性搅拌器的搅拌转速为500-600rpm，搅拌时间为15min，离心转速3500rpm，离心时间为3min-5min，所述的步骤二中的离心转速3500rpm，离心时间为30min，超声时间为1h。

5.如权利要求1所述的一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤一中的水浴温度设定为40℃。

6.如权利要求1所述的一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤三中的水热釜反应条件为120℃反应12h-24h，所述的步骤四中的抽滤压力为0.1MPa。

7.如权利要求1所述的一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤二中的氮气填充时间为2min，所述的步骤一中洗涤是指先用1M盐酸洗涤2次，再分别用去离子水和乙醇洗涤3次，所述的步骤四中的PVDF膜是0.22微米PVDF滤膜。

8.一种由权利要求1～7任一项所述一种二维MXene基自清洁超滤膜的制备方法制备得到的Mxene基自清洁超滤膜。

9.根据权利要求8所述的MXene基自清洁超滤膜的应用，其特征在于：所述MXene基自清洁超滤膜用于饮用水处理和废水处理领域。